紐約州重金投入最新半導體材料碳化矽 GE、IBM 參一腳

作者 | 發布日期 2014 年 07 月 16 日 15:08 | 分類 即時新聞 , 晶片 , 財經 line share follow us in feedly line share
紐約州重金投入最新半導體材料碳化矽  GE、IBM 參一腳


紐約州政府 15 日宣佈,將與奇異(General Electric;GE)和超過 100 家企業、大學機構與政府機關攜手研發、製造最新半導體材料「碳化矽(silicon carbide)」。

今日美國(USA Today)、紐約州地方媒體 Lohud.com 等多家外電報導,紐約州政府將花費 1.35 億美元建立「紐約電力電子製造聯盟(New York Power Electronics Manufacturing Consortium)」,總部將設在紐約州首府奧爾巴尼(Albany)的紐約州立大學奈米科學與工程學院。

紐約州州長 Andrew Cuomo 則宣佈,民間企業還會在未來 5 年進一步投入 3.65 億美元的資金,預料能創造 1,000 份工作機會。參與這項聯盟的企業除了 GE 之外,還包括 IBM 以及美國航空太空製造商 Lockheed Martin。

這個由紐約州主導成立的最新聯盟將由 GE 領軍,目標是研發、製造以碳化矽製成的矽晶圓。碳化矽的抗熱度高於傳統矽晶圓,製造成本也較低。

GE 董事長兼執行長 Jeffrey Immelt 也出席了這場成立大會。Immelt 在會議上表示,該公司認為電力電子(power electronics)有極大的發展潛能。

IBM 甫於 7 月 9 日宣布將專注研發,未來 5 年斥資 30 億美元解決晶片微縮的製程障礙,並發展替代材質、提升運算效能。另外,IBM 在 Albany 也重金投入了一家奈米科技研發中心。

(MoneyDJ新聞 記者 郭妍希 報導)