記憶體 11 月上旬合約價跌幅逾 3%, 長達半年漲幅宣告終止

作者 | 發布日期 2014 年 11 月 17 日 15:27 | 分類 晶片 , 財經 line share follow us in feedly line share
記憶體 11 月上旬合約價跌幅逾 3%, 長達半年漲幅宣告終止


 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報價顯示,長達半年的 DRAM 合約價漲幅正式宣告終止,DDR3 4GB 模組 11 月上旬合約價下跌 3.1%, 均價來到 31.75 美元,合約高價更從 33.5 美元下滑至 32 美元,跌幅高達 4.5%。

隨著三星、SK 海力士二大韓系廠商在 25nm 製程良率漸趨穩定,產出增加的同時,亦希望 PC-OEM 拿下更多的貨,部份 DRAM 廠策略從獲利導向轉為出貨導向,PC-OEM 廠趁勢壓低採購價,導致 11 月價格丕變,甚至回到今年第三季的合約價格原點 31.5 美元。DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示,隨著 DRAM 顆粒產出大幅增加,加上第四季適逢傳統手機淡季,產能暫不易轉換至行動式記憶體下,後續價格下滑的可能性高,不排除明年第一季正式跌破 30 美元大關價位。

 

韓系廠商 25nm 製程正式邁入高度成熟期

吳雅婷表示,從 30nm 邁入 20nm 製程後,由於製程微縮逼近物理極限,各 DRAM 廠無不在此領域吃足苦頭。三星首次進入的 28nm 製程,由於良率無法有效提升,黯然宣告中止,部份產能轉回  35nm, 部份產能直上 25nm 製程務求突破,經過超過一年的改善,終於在今年下半年良率邁入成熟階段,預計年末產出量高達 70%, 而明年將由 20nm 正式交棒,算是開發進度最快的 DRAM 廠。

SK 海力士亦不遑多讓,29nm 製程的生命週期長達二年,25nm 在去年年末正式導入量產,生產初期也面臨良率不高的問題,經過半年的努力終於獲得突破性的改善,SK 海力士決議從第四季至明年第一季將產能大幅轉進 25nm 製程, 次世代 21nm 製程預計明年中導入量產行列。

 

美光集團 20nm 製程挑戰性極大 

美光集團雖然 25nm 製程進入成熟階段,未來 20nm 製程的生產中心將放在華亞科上,但嚴格來說 20nm 製程大多是由廣島廠的爾必達團隊開發完成,其機台配置與華亞科不盡相同,這也是華亞科大舉投下 500 億的資本支出,務求與廣島廠機台配置盡量相同,若往後生產如發生問題,就可以用廣島廠經驗迅速解決,為的只是 20nm 可以順利開發。由於華亞科採用跳躍式的升級,中間捨棄 25nm 製 程的轉進,因此需要更多時間解決技術與機台間的差異性,從二家韓系廠商在 20nm 製程轉進無法一帆風順的經驗來看,美光集團在 20nm 製程的挑戰性極大。

首圖來源:Samsung