資本開支飆,記憶體獲利恐在年中觸頂

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 08 日 11:15 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件 line share follow us in feedly line share
資本開支飆,記憶體獲利恐在年中觸頂


記憶體供應緊俏,業者獲利直線上衝,口袋賺飽飽。外資警告,廠商砸錢增產,DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能會在今年年中觸頂。

霸榮(Barron’s)7 日報導,Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 表示,記憶體業者的資本開支超過 50 億美元,是毛利觸頂的預兆,2013 年第四季和 2015 年 Q1、Q3 都是如此(見下圖)。該行估計,2017 年 Q1、Q2 記憶體業的資本開支都高於 50 億美元門檻;由此看來,2017 年毛利率可能會在年中或年末觸頂。

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(Source:Flickr/tiernantech CC BY 2.0)

Hosseini 警告,蘋果採購完 iPhone 8 所需的記憶體之後,相關需求可能驟減。報告稱,今年下半 NAND 供給將轉為寬鬆,主因 48 層 NAND 製程加速轉往 64 層,而且三星平澤(Pyeongtaek)廠也啟用。與此同時,Kingstom 等模組廠的庫存增加至 6~8 週水位,打算趁著蘋果 iPhone 8 下單 NAND 時,推升實際銷售。

報告稱,記憶體業者中,Western Digital(WD)、SanDisk 毛利率波動較小,情況優於美光(MU)、SK 海力士(SK Hynix)、三星電子。這是因為 WD、SanDisk 不受 DRAM 市場力量衝擊,而且都和日廠東芝(Toshiba)合資生產,可分擔成本。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)