基頻晶片之爭,高通的領導地位備感壓力

作者 | 發布日期 2017 年 03 月 16 日 16:45 | 分類 Apple , Samsung , 手機 follow us in feedly

根據國外媒體 TheStreet 報導,在幾乎壟斷 4G LTE 與 3G EV-DO 基頻晶片市場的大廠高通(Qualcomm),過去所採用的 IP 授權手段,以限制其他競爭對手介入市場的手法,目前已開始遭到包括蘋果(Apple)等廠商的反彈後,這也使得競爭對手包括英特爾與三星,陸續推出新的晶片。這對近來面臨訴訟困境的高通而言,又可能要造成更大的衝擊。




報導指出,英特爾日前宣布推出名為 XMM 7560 的 2G / 3G / 4G 基頻晶片,可支援最大 1Gbps 下載與 225 Mbps上傳速度。XMM 7560 採用英特爾 14 奈米製程,比起前一代採 28 奈米製程的 XMM 7480,以及部分 iPhone 7 / 7 Plus 所使用的 XMM 7360 更加先進。除了最大下載速度外,在XMM 7560 的多重載波聚合性能上也有大幅的提升。

XMM 7560 是第一個可支援 3G EV-DO 網路的英特爾基頻晶片。目前,包括 Verizon、Sprint、中國電信等多家電信廠商都仍在使用 3G EV-DO 網路。由此看來,XMM7560 很有機會協助英特爾,從高通手中搶下更多蘋果 iPhone 智慧型手機市場。

市場分析機構 Susquehanna 預測,如果蘋果降低對高通晶片的依賴,進而全面採用英特爾晶片,那麼高通將可能損失 10 到 14 億美元的年營收。而基頻晶片平均價格較低的英特爾,則有機會取得 800 萬至 1 1億美元的年營收成長。

另外,三星即將推出的 Exynos 8895 行動晶片,內建 8 核心,並支援 1Gbps 的最大下載速度。由於 Exynos 889 5與高通旗艦行動晶片 Snapdragon 835 一樣,都採用三星的 10 奈米製程,使得 Exynos 8895 的多重載波聚合效能,也比前一代 Exynos 8890 有所提升。

根據市場消息,包括 Snapdragon 835 與 Exynos 8895 都預計將使用於三星 Galaxy S8 旗艦型智慧手機上。因此,高通在 Snapdragon 835 的代工上之所以選擇三星,而非以往由台積電來代為生產,就可能是因為與三星協商後,希望能搭上三星的 Galaxy S8 旗艦型智慧手機的結果。然而,三星在 Exynos 8895 的 4G 資料技術進步,也對高通造成了不小的威脅。這使得三星最終可能會減少高通晶片的使用,或以此做為議價的籌碼。

至於,高通本身所最新發表的 Snapdragon X20 基頻晶片,則是擁有 1.2Gbps 最大下載速度,以及 5x 多重載波聚合的效能。只是,Snapdragon X20 最快要等到 2018 年上半年才會開始出貨。因此,將沒有機會使用在 2017 年推出的蘋果或三星旗艦手機上。

事實上,高通基頻晶片部門在 2016年 第四季的出貨量,已較前 1 年少了 10%,並可能在 2017 年第一季再下跌 2% 至 13% 的比率。加上蘋果與英特爾的結盟、智慧型手機市場成長減緩,以及聯發科、展訊等亞洲晶片廠商的競爭,都對高通數據晶片部門造成不小壓力。

因此,除了功耗、尺寸上較 Snapdragon 820 進步外,新款 Snapdragon 835 也瞄準了無人機、VR / AR 頭盔、筆記型電腦等應用,因此,Snapdragon 835 被看好能帶動高通整體在 2017 年的發展。此外,高通還投入 470 億美元買下恩智浦半導體(NXP),介入車用電子市場的領域,此舉或許能減少高通對行動晶片業務的依賴。而英特爾打算縮減行動部門的研發預算,也給了高通稍有喘息的空間。如此,未來高通能否接其他領域的發展,繼續保持於基頻晶片市場的地位,則有待進一步觀察。

(首圖來源:高通官網)