格羅方德推出 12nm 半導體製程,中國成都新廠也將於 2018 年底投產

作者 | 發布日期 2017 年 09 月 22 日 12:00 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區 line share follow us in feedly line share
格羅方德推出 12nm 半導體製程,中國成都新廠也將於 2018 年底投產


晶圓代工大廠格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)於 22 日宣布推出全新 12nm Leading-Performance(12LP)FinFET 半導體製程計畫。格羅方德表示,此技術可望超越格羅方德現行 14nm FinFET 技術的產品,提供密度及效能上提升,進而滿足運算密集型的應用,例如包括人工智慧、虛擬實境、高階智慧型手機以及網路基礎架構等的處理需求。

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