聯電:自主研發 DRAM 計畫不變,明年 Q4 完成首階段開發

作者 | 發布日期 2017 年 09 月 25 日 9:30 | 分類 記憶體 , 財經 line share follow us in feedly line share
聯電:自主研發 DRAM 計畫不變,明年 Q4 完成首階段開發


聯電遭記憶體大廠美光指控妨礙營業祕密,對此,聯電共同總經理簡山傑表示,對司法程序進行中的案件不應多言,但聯電一向以保護智財產著稱,也禁止員工不得使用其它公司營業機密公司;他強調,自主研發 DRAM 的計畫不會因此而改變,預計明年第四季完成第一階段的技術研發;另外,展望公司未來發展藍圖,追求獲利成長仍為首要目標。

簡山傑甫於今年 6 月走馬上任,對於因美光指控竊密而遭起訴一事,他指出,對司法程序進行中的案件不應多言,不過,聯電極有可能是遇到「商業間諜」,高度懷疑涉案員工「帶槍投靠」是假的,可能「構陷入罪」才是真的,意圖妨礙聯電 DRAM 研發計畫,不過,聯電堅持自主研發 DRAM 的計畫不會改變,預計將會依計畫在明年第四季完成第一階段技術開發。

而展望聯電未來發展藍圖,簡山傑表示,聯電過去專注於先進製程投資與研發,不過,新的方向是以追求獲利成長為首要目標,不會再跟同業競爭先進製程。而聯電也已訂下有短中長期計畫,短期為專注核心技術和提升營運效率,快速改善體質與提升獲利;中期目標為擴大市占,而長期目標仍是開發新技術。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:科技新報)

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