三星 SZ985 採 64 層堆疊 3D SLC 快閃記憶體,搶食 intel Optane 商機

作者 | 發布日期 2017 年 11 月 21 日 17:00 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly


半導體大廠英特爾(Intel)在 2017 年初正式推出與記憶體廠美光(Micron)合作的 3D XPoint 快閃記憶體,並將其用在 Intel 的 Optane 系列產品,協助過去運用傳統硬碟開機的電腦,大幅縮減開機時間。尤其在極低延遲的情況下,3D XPoint 快閃記憶體有突出的隨機性能,速度甚至是當前 SSD 的好幾倍。面對市場越來越看好 3D XPoint 快閃記憶體的同時,全球記憶體龍頭三星也推出類似的產品,也就是 Z-NAND 快閃記憶體的 Z-SSD。

相較 Intel 在 3D XPoint 的 Optane DC P4800X 有 350GB 和 750GB 兩種容量,三星首款使用 Z-NAND 的 SSD 則是 SZ985,只有 800GB 一種容量。採用 HHHL 半高半長的 PCI-E 卡規格,使用 PCI-E 3.0×4 介面,連續讀寫速度都是 3.2GB/s,最大隨機讀寫 IOPS 為 750K / 170K,讀取延遲 12-20us,寫入延遲則是 16us。

Z-NAND 的 SSD 規格,與 3D XPoint 的 Optane DC P4800X 相比,3D XPoint 連續讀寫速度為 2.4 / 2GB/s,最大隨機讀寫 IOPS 為 550K / 500K,讀寫延遲都是 10u。數據上看來,三星 Z-NAND 性能的確不差,但 3D XPoint 的低延遲優勢仍然相當大。在雙方耐久度都是 30 DWPD 情況下,3D XPoint 仍具技術優勢。

另外,三星 Z-NAND 相比 Intel 與美光 3D XPoint,革命性與創新性就顯得比較小。原因是 Z-NAND 其實就是 64 層堆疊的 SLC 快閃記憶體,且應是運行在 SLC 模式下的 MLC 快閃記憶體。藉由 SLC 模式,可強化性能與耐久性。三星還提到採用獨特電路設計,也就是在快閃記憶體封裝中使用更短位線,可提高性能。

最後,三星還透露未來會推出 MLC 快閃記憶體的變種產品。該產品性能會稍微下降,不過容量更大。市場預期,三星 SZ985 未來應該會是 Intel Optane 的強力競爭對手。就目前市場狀況,3D XPoint 性能雖好,但價格高昂,產能也受侷限。三星 SZ985 應不用擔心產能問題。目前就靜待三星公布價格,再看看是不是能為消費者接受了。

(首圖來源:三星