記憶體晶片景氣將觸頂?大摩降等,三星電子重挫 4%

作者 | 發布日期 2017 年 11 月 27 日 15:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly


Thomson Reuters 27 日報導,摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26 日以明年記憶體晶片獲利恐難顯著成長為由,將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自「加碼」降至「中性權重」,目標價下修 3.4% 至 280 萬韓圜。大摩指出,隨著 NAND 型快閃記憶體報價在 2017 年第四季開始反轉,下行風險隨之升高;在此同時,2018 年第一季以後的 DRAM 供需能見度也已降低。

三星電子 10 月表示,2018 年 DRAM、NAND 型快閃記憶體供需預估將持續呈現吃緊。三星電子 27 日盤中下跌 4.2%,創一年多以來最大跌幅。三星競爭對手 SKHynix 一度下跌 3.6%,創 10 月底以來最大跌幅。

韓聯社報導,南韓股市 27 日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓,以三星電子為首的科技股領跌。

截至台北時間 27 日下午 12 時 41 分為止,三星電子下跌 4.18%,報 2,657,000 韓圜;開盤迄今最低跌至 2,650,000 韓圜,創 10 月 27 日以來新低。SK Hynix 下跌 2.35%,報 83,100 韓圜;開盤迄今最低跌至 82,000 韓圜,創 11 月 20 日以來新低。

美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)11 月 24 日上漲 1.10%,收 49.68 美元,創2000年9月 27 日以來收盤新高;今年迄今大漲 126.64%。

美光將在 12 月 19 日公布 2018 會計年度第一季財報。新聞稿顯示,美光的記憶體與儲存解決方案協助推動人工智慧(AI)、機器學習以及自主駕駛車等顛覆性趨勢。

英特爾、美光科技 11 月 13 日宣布,IM Flash B60 晶圓廠已完成擴建工程。新聞稿指出,規模擴大後的晶圓廠將生產 3D XPoint 記憶體媒體。成立於 2006 年的 IM Flash 合資企業替英特爾與美光生產非揮發性記憶體。

費城半導體指數 11 月 24 日漲 12.59 點或 0.95%、收 1,341.69 點,創歷史收盤新高;週線上漲 2.66%,連續第 11 週收高。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

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