Thomson Reuters 27 日報導，摩根士丹利（Morgan Stanley，大摩）26 日以明年記憶體晶片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司（Samsung Electronics Co Ltd）投資評等自「加碼」降至「中性權重」，目標價下修 3.4% 至 280 萬韓圜。大摩指出，隨著 NAND 型快閃記憶體報價在 2017 年第四季開始反轉，下行風險隨之升高；在此同時，2018 年第一季以後的 DRAM 供需能見度也已降低。
三星電子 10 月表示，2018 年 DRAM、NAND 型快閃記憶體供需預估將持續呈現吃緊。三星電子 27 日盤中下跌 4.2%，創一年多以來最大跌幅。三星競爭對手 SKHynix 一度下跌 3.6%，創 10 月底以來最大跌幅。
韓聯社報導，南韓股市 27 日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領跌。
截至台北時間 27 日下午 12 時 41 分為止，三星電子下跌 4.18%，報 2,657,000 韓圜；開盤迄今最低跌至 2,650,000 韓圜，創 10 月 27 日以來新低。SK Hynix 下跌 2.35%，報 83,100 韓圜；開盤迄今最低跌至 82,000 韓圜，創 11 月 20 日以來新低。
美國記憶體大廠美光科技（Micron Technology Inc.）11 月 24 日上漲 1.10%，收 49.68 美元，創2000年9月 27 日以來收盤新高；今年迄今大漲 126.64%。
美光將在 12 月 19 日公布 2018 會計年度第一季財報。新聞稿顯示，美光的記憶體與儲存解決方案協助推動人工智慧（AI）、機器學習以及自主駕駛車等顛覆性趨勢。
英特爾、美光科技 11 月 13 日宣布，IM Flash B60 晶圓廠已完成擴建工程。新聞稿指出，規模擴大後的晶圓廠將生產 3D XPoint 記憶體媒體。成立於 2006 年的 IM Flash 合資企業替英特爾與美光生產非揮發性記憶體。
費城半導體指數 11 月 24 日漲 12.59 點或 0.95%、收 1,341.69 點，創歷史收盤新高；週線上漲 2.66%，連續第 11 週收高。
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
