受台灣美光記憶體氮氣事件影響,DRAM 第二季供貨吃緊態勢加劇

作者 | 發布日期 2018 年 04 月 03 日 14:20 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件 line share follow us in feedly line share
受台灣美光記憶體氮氣事件影響,DRAM 第二季供貨吃緊態勢加劇


根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,以標準型記憶體主流產品 DDR4 4GB 來看,3 月均價維持在 33 美元,高價約 34 美元,整體而言,第一季標準型記憶體價格較去年第四季上漲約 5%;第二季受到台灣美光記憶體(原瑞晶廠)氮氣事件影響,導致 DRAM 市場供給吃緊的情況延續,預估第二季標準型記憶體合約價將再上揚約 3%。

DRAMeXchange 指出,由於現在的標準型記憶體大多以季合約(quarterly deal)的方式議定,因此每一季大部分的漲價幅度都集中在第一個月,今年 1 月 DRAM 價格已大致反應第一季調漲幅度,目前觀察 3 月合約價並未看到顯著變化,約與上個月持平。

此外,台灣美光記憶體於今年 3 月 20 日傳出氮氣供應受阻狀況,DRAMeXchange 分析,此問題點發生於台灣美光記憶體廠外,主因為氮氣的設備故障導致氣體無法運輸到台灣美光記憶體內,故障機台須送回美國維修,目前機台已修復並運送回台,然台灣美光記憶體真正完全復工須待至 4 月初。

由於上述台灣美光記憶體生產的產品應用別主要為標準型記憶體、伺服器記憶體、行動式記憶體(LPDDR4)與繪圖用記憶體。此氮氣事件將對台灣美光記憶體本月及 4 月上旬的產出有一定程度的 影響,將使目前 DRAM 市場供給吃緊的情況延續,預期第二季標準型記憶體合約價將較前一季再上揚 3%。對原本就已供給短缺的繪圖用記憶體市場而言,受到的衝擊恐將更大。

(首圖來源:shutterstock)