搶攻全球 NAND Flash 市場,美光宣布在新加坡興建第 3 工廠

作者 | 發布日期 2018 年 04 月 08 日 12:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly

在市場 NAND Flash 快閃記憶體供應仍有缺口,導致價格已就維持高檔的情況下,包括國際大廠三星、SK 海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產以增加產能之際,7 日美商記憶體大廠美光(Micron)也宣布擴產,以補足市場供不應求的缺口。




美光指出,繼目前在新加坡擁有 Fab 10N、Fab 10X 兩座 NAND Flash 快閃記憶體工廠之後,將在當地興建第 3 座 NAND Flash 快閃記憶體工廠。新工廠的占地面積約 16.5 萬平方公尺,計劃 2019 年年中前後完工,2019 年第 4 季開始投產。

不過,美光沒有公布新工廠的具體投產 NAND Flash 快閃記憶體類型和產能。但是,根據外界的預估,其投產的 NAND Flash 快閃記憶體產品類型,應該是現有 64 層堆疊快閃記憶體的下一代產品。

另外,美光除了宣布將在新加坡興建第 3 座 NAND Flash 快閃記憶體工廠之外,美光還表示,將在新加坡擴大當前的研發規模,這將使得當地員工總數,有望從目前的 7,500 人增加到 1 萬人以上。

除了美光在 NAND Flash 快閃記憶體的發展外,在 DRAM 方面,值得一提的是,不久之前,美光的台中工廠也因為供氮設備出現電路問題,發生氮氣供應故障的情況,影響到部分的產品。對此,美光執行長 Sanjay Mehrotra 在之前的法說會也已經證實此事。

Sanjay Mehrotra 表示,氮氣供應受阻事件恐將導致美光本季 DRAM 產出減少 2% 到 3%。而美光已經將相關故障設備被送往美國進行維修,並於日前重新回到工廠,並且在 4 月份開始重新投入生產的工作。

(首圖來源:美光官網)

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