三星 FinFET 製程遭自家南韓科學技術院控告侵權,判罰 4 億美元罰金

作者 | 發布日期 2018 年 06 月 19 日 11:00 | 分類 晶片 , 處理器 , 財經 follow us in feedly


南韓三星為了多元化營收來源,這兩年晶圓代工業務為重點發展項目,2018 年率先推出 7 奈米 EUV 製程,搶在台積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎「吃緊弄破碗」,FinFET 製程惹上了麻煩。根據南韓媒體報導,上週三星被美國法院判決,侵犯自家南韓科學技術院(KAIST)的專利,需賠償 4 億美元。但三星對此表示不服,將再提出上訴。

報導指出,三星與 KAIST 在 FinFET 製程的爭議已久。KAIST 在本次訴訟表示,當時還在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho,2001 年向三星展示過 FinFET 技術,但三星起初對 FinFET 製程並不在意,直到後來看到英特爾 FinFET 量產之後,三星也加快 FinFET 製程開發。三星就使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 製程為基礎,改進本身的 FinFET 製程,2011 年推出跟 Lee Jong-ho 教授研發的 FinFET 製程相近的 FinFET 製程技術。

就因為這樣,KAIST 跟三星結下了梁子。2016 年,KAIST 在美國德州智慧財產權局控告三星,宣稱三星 FinFET 製程侵犯了他們的專利權。三星回應表示,他們是跟 KAIST 合作開發 FinFET 製程,並質疑 KAIST 的 FinFET 專利有效性。不過,陪審團沒有聽三星的理由,最終在上週判決三星侵犯 KAIST 的 FinFET 專利權成立,需賠償 KAIST 約 4 億美元。

對審判結果,美國德州知識產權局陪審團認為,三星侵權是故意的,4 億美元的賠償還不是最後結果,未來甚至有可能被判最重罰款 12 億美元。三星方面則對判決表示不服,指出將考慮所有可能的選項,以在未來上訴後獲得合理的判決。此外,這起侵權案還涉及高通與格羅方德,他們也被判侵權成立。不過,法院方面並沒有要求他們賠償任何損失。

(首圖來源:Flickr/g0d4ather CC BY 2.0)