美中加速脫鉤，「中國製造 2025」核心業者之一記憶體製造商長江存儲，近來動工興建二期新廠，目標月產量提高三倍，以減少對美國半導體的依賴。
日經新聞、中新網報導，長江存儲以武漢為大本營，20 日在武漢舉行開工典禮。湖北省委書記應勇是習近平心腹，也應邀出席。
長江存儲 2019 年起開始量產記憶體，一期產量為每月 10 萬片，二期工廠完工後，產量將增至每月 30 萬片。第一、二期投資總額為 240 億美元，業界密切關注新廠製造設備進口和安裝過程，能否順利進行。
中國 2015 年發布「中國製造 2025」，以培植高科技產業。當局成立 3 家半導體公司，生產中國自製晶片，長江存儲是其中之一，以供應 NAND Flash 為主。今年 4 月長江存儲宣布，成功研發出 128 層 3D NAND。
Semiconductor Engineering 22 日報導，中國多數記憶體都仰賴進口，為了改善情況，中國開始發展記憶體，長江存儲跨足 3D NAND、長鑫存儲則生產 DRAM。去年長江存儲首次成功出貨 64 層 3D NAND，今年 4 月還宣布研發出 128 層 3D NAND。目前長江存儲技術仍落後同業，國際業者主要生產 92 / 96 層 3D NAND，並增產 112 / 128 層 3D NAND。
儘管如此，長江存儲有能力撼動中國市場。其記憶體已用於中廠生產的 USB 卡和固態硬碟（SSD），TechInsights 分析師 Jeongdong Choe 說，如果中國 OEM 代工廠採用長江存儲科技，「有望顛覆 NAND 市占」。
但中廠要在國際記憶體市場占有一席之地，仍有很長的路要走。IC Insights 董事長 Bill McClean 說：「IC Insights 高度懷疑，未來十年中國能否發展出具競爭力的本土記憶體產業，以滿足中國的記憶體 IC 需求」。非記憶體晶片，如類比、邏輯、混合訊號、射頻（RF）晶片也是如此，McClean 指出：「中廠要在非記憶體市場具有競爭力，將花費數十年時間」。
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