台積電與三星的 GAA 製程技術之爭,由製程延伸到專利 作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 07 月 19 日 16:45 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 | edit 日前晶圓代工廠南韓三星宣布,3 奈米閘極全環電晶體(Gate-all-around,GAA)製程成功流片,晶圓代工龍頭台積電也預計 2 奈米採用 GAA 製程技術,現在兩家全球製程最先進的晶圓代工廠,不僅要比技術力,還將把競爭範圍擴及專利。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 3 奈米 , FinFET , GAA , GAA 專利 , 三星 , 台積電