聯電獲准投資廈門 12 吋晶圓廠,未來可獲權利金挹注

作者 | 發布日期 2015 年 01 月 01 日 8:55 | 分類 晶片 , 財經 follow us in feedly


經濟部工業局 31 日指出,有關聯電申請赴廈門參股投資聯芯 12 吋晶圓廠一案,基於協助國內半導體業者運用中國官方政策優惠、及早卡位,爭取中國龐大商機,並在沒有技術外流疑慮、在國內有相對投資並增聘員工之前提下,經過投資審議委員會會同有關機關於 31 日完成審查後,同意聯電公司赴中國投資。

搭上補貼優惠列車

聯電表示,本次參股投資案主要考量中國半導體內需快速成長之市場,以及當地政府對於半導體產業的補貼賦稅優惠與採購規範限制等條件,故宣布參股投資 12 吋晶圓製造廠;中國具有廣大的半導體市場,且當地晶片需求正快速成長,公司此次赴中國參股投資晶圓製造廠係為爭取中國內需市場,以爭取商機、提前卡位。

此外,聯電也指出,此次赴中國參股投資可取得當地政府相關政策優惠,目前半導體為中國重點發展產業,當地企業從事晶圓製造可申請研發補助及租稅減免,另中國政府規定銀行 IC 卡需採用當地製造之晶片,而聯電為爭取 IC 智慧卡之廣大市場及享有優惠措施,故須透過參股投資聯芯以取得參與中國政府標案之資格及優惠。

 

最先進技術並未引進中國

聯芯公司註冊資本額為 20.7 億美元,其中聯電預計 5 年內將出資 13.5 億美元,未來聯芯主要營收將來自 40/55 奈米製程技術,聯電將依規定向聯芯收取技術合作權利金;另國內主要競爭對手三星已赴中國投資最先進技術(12 吋廠 1X nm 製程),而聯電目前所擁有最佳技術為 28 奈米,此次赴中國投資更僅屬 40/55 奈米,故並無技術外流之疑慮,也符合「赴中國併購、參股投資之製程技術須落後該公司在台製程技術一個世代」之規定。

而聯電也承諾,未來將繼續在台加碼投資,持續投資建置高階製程產能,預計未來 3 年平均每年資本支出將投入逾 13 億美元,超過此次赴中國投資總金額 13.5 億美元;另並加強研發投入,於南科廠區研發中心開發 14 奈米與其他利基型產品,同時配合在南科持續擴產,未來 3 年新增 3,000 名就業機會,且將逐年增加半導體設備、材料本土採購金額之比例。

工業局指出,近年來因中國半導體市場快速成長,全球半導體產業朝中國移動之趨勢明顯,國際大廠如英特爾(Intel)、三星(Samsung)已陸續至中國投資晶圓製造廠,我國主要競爭對手皆已赴中國投資,相較於全球半導體之競爭,我國業者如能透過併購、投資參股等方式,掌握中國之訂單及擴大業者掌控之產能,並利用其政策優惠取得全球半導體市場之有利地位,擴大市場占有率,將有利於我國廠商在全球及中國的佈局。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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