三星記憶體資本支出將大砍 3 成,市場期望有助價格回穩

作者 | 發布日期 2016 年 04 月 20 日 10:50 | 分類 晶片 , 財經 , 零組件 follow us in feedly


根據國外媒體報導,由於記憶體價格在 2015 年跌價幅度過大,因此韓國記憶體大廠三星電子將不再用低價搶市的策略,三星可能大砍 2016 年資本支出 40 億美元,約較 2015 年減少 31% ,這代表 DRAM 及 NAND Flash 市場供給過剩情況有機會獲得改善,價格將逐漸回穩。對於這樣的消息,競爭對手海力士股價開盤後隨即上漲 1% ,而台灣 DRAM 廠南亞科、華邦也相對於大盤抗跌。

2015 年中才與競爭對手 SK 海力士宣布將擴大投資 DRAM 產業的三星,因為受不了記憶體價格持續下探的影響,傳出將於 3 月底的法說會中宣布,2016 年投入記憶體的資本支出將減少 40 億美元的支出,年減幅度將超過三成的比例。法人表示,若這樣的消息成真,將有助於 DRAM 及 NAND Flash 價格回穩。其中,DRAM 市場在價格上有機會出現較大的反彈幅度,這對於國內 DRAM 廠,包括南亞科、華邦電而言將是直接的受惠者。

外電報導,分析師推估 2016 年全球記憶體資本支出將較 2015 年減少4%,約達 502 億美元。其中,減幅最大的就是三星,預估 2016 年投入記憶體事業的資本支出將較 2015 年減少 40 億美元的金額,年減幅度高達 31%。由於三星的 DRAM 產能有 70% 轉換至 20 奈米製程後,DRAM 的資本支出將較 2015 年減少 26 億美元,而三星的西安 NAND Flash 廠開始量產後,NAND Flash 資本支出也會下修 10 億美元左右。三星這樣的計畫,預估南韓另一記憶體大廠 SK 海力士應該也會跟進。

業界表示,因為 DRAM 價格 2015 年大幅下滑,已經壓縮到整體記憶體廠的獲利能力。由於,三星集團在手機事業應收衰退之後,未來發展策略將著重獲利能力。因此,在記憶體事業部分,透過減少資本支出將是很有可能的作法。而且,透過這一降低資本支出的做法,穩定全球 DRAM 及 NAND Flash 的供給量,將可有效讓價格出現回穩情況。

另外,美國記憶體大廠美光也因為受到 2015 年記憶體價格下跌的影響,第 2 季營收也由盈轉虧,虧損 9,700 萬美元,每股淨損 0.09 美元,毛利率僅有 19.7% 。預期,若三星降低資本支出已回穩記憶體價格的計畫奏效,美光也將會是其中的重要受惠者。

(首圖來源:Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)