協助中國晉華開發記憶體製程,聯電積極規劃搶佔記憶體市場

作者 | 發布日期 2016 年 05 月 13 日 18:50 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 財經 follow us in feedly

晶圓代工大廠聯電 (UMC)13 日傳出將接受委託,為中國晉華公司開發隨機存取記憶體 (DRAM) 相關製程技術的消息。對此,外界解讀因為先前就已經傳出聯電已針對切入利基型記憶體代工成立專案小組,並由甫加入聯電擔任副總經理的前瑞晶總經理陳正坤領軍來執行這樣的工作。因此,對此消息並不覺得意外,認為是聯電為準備介入利基型記憶體市場的發展開始練兵準備。




根據聯電表示,已中國與福建省晉華集成電路有限公司簽署技術合作協議。依協議約定,接受晉華公司委託開發隨機存取記憶體 (DRAM) 相關製程技術,由晉華公司提供 DRAM 特用設備並依開發進度支付技術報酬金作為開發費用,開發成果將由雙方共同擁有。

未來,藉由雙方的協議,在結合台灣半導體製造能力以及中國的市場與資金下,在台灣進行技術研發,雙方合作所開發的技術主要應用在利基型 DRAM 的生產,不僅能提供國內 IC 設計公司使用,也能夠結合邏輯技術,提供更高附加價值的晶圓專工服務。

對此,有法人就表示,日前聯電為擴大在記憶體市場的布局,除開始規劃與大陸泉州市政府合作,在泉州興建 12 吋晶圓廠,切入利基型記憶體代工之外,聯電內部也成立相關的專案小組,進行包括記憶體工程師人才的招募,以及在南科廠區設立小量產線試產等地工作。

由於聯電一直擁有嵌入式快閃記憶體技術,加上陳正坤進入聯電集團之後,未來除了有機會搶進嵌入式快閃記憶體之外,還有機會在利基型 DRAM 市場一較長短。由於記憶體產業被中國政府列為重點發展,因此包括儲存型快閃記憶體 (NAND Flash) 及利基型記憶體 (DRAM) 市場都將快速發展下,聯電希望能藉此取得一席之地。

此次,福建省晉華集成電路有限公司委託聯電開發隨機存取記憶體  (DRAM)  相關製程技術,由於在地理上有相近之便,再加上附近又有聯電與廈門市政府合資的聯芯半導體就近協助,對聯電而言已經建立完整布局,也是切入記憶體市場的不錯時機。

(首圖來源:《科技新報》攝) 

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