富士通與 Nantero 達成協議 2018 年推出快 1000 倍的 NRAM 記憶體

作者 | 發布日期 2016 年 09 月 05 日 10:56 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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富士通與 Nantero 達成協議 2018 年推出快 1000 倍的 NRAM 記憶體

富士通半導體和三重富士通半導體上週共同宣布宣布,他們已與總部位於美國的 Nantero 公司達成協議,授權該公司的碳奈米管記憶體 (NRAM) 技術,三方公司未來將致力於 NRAM 記憶體的開發與生產。據了解,藉由 NRAM 技術所生產的記憶體速度將是當前普通記憶體的 1,000 倍。預計,藉由三方面的合作,將在 2018 年推出藉由 55 奈米製程所生產的 NRAM 記憶體。

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