2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體

作者 | 發布日期 2016 年 10 月 20 日 12:40 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 follow us in feedly


隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈,包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長,近期價格也擺脫低潮,持續上漲,這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導,在這波儲存晶片的熱潮下,中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然,這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差,但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。

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