美光宣布 3D NAND 快閃記憶體年底前大量投產

作者 | 發布日期 2016 年 12 月 16 日 9:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 follow us in feedly


本周宣佈正式合併台塑旗下記憶體廠華亞科的美商記憶體大廠美光 (Micron) 在 15 日表示,由於該公司的 3D NAND 快閃記憶體產能日前正式超過 2D NAND 快閃記憶體。其中,包括第 1 代 3D NAND 快閃記憶體的成本也符合預期,堆疊層數達到 64 層的第 2 代 3D NAND 快閃記憶體也在已經準備完成,預計將在 2016 年底要正式大規模量產。

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