美光宣布 3D NAND 快閃記憶體年底前大量投產

作者 | 發布日期 2016 年 12 月 16 日 9:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly


本周宣佈正式合併台塑旗下記憶體廠華亞科的美商記憶體大廠美光 (Micron) 在 15 日表示,由於該公司的 3D NAND 快閃記憶體產能日前正式超過 2D NAND 快閃記憶體。其中,包括第 1 代 3D NAND 快閃記憶體的成本也符合預期,堆疊層數達到 64 層的第 2 代 3D NAND 快閃記憶體也在已經準備完成,預計將在 2016 年底要正式大規模量產。

根據外媒報導,美光公司財務長 Ernie Maddock 在 15 日參加巴克萊銀行全球技術、媒體及通訊大會上表示,該公司的 3D NAND 快閃記憶體產能與 2D NAND 快閃記憶體產能已經來到交叉點上。也就是說,3D NAND 快閃記憶體的產能,以容量計算,將要超過 2D NAND 快閃記憶體。

此外,Ernie Maddock 還表示,美光的第 1 代 3D NAND 快閃記憶體在降低生產成本上已經達到預期目標。由於,美光在 2016 年上半年的發展路線上曾指出,未來預計 3D NAND 快閃記憶體的成本,將要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今,已經實現降低 20% 到 25% 的成本。這樣的情況,對於未來將開始在新加坡 Fab 10X 晶圓廠大規模量產來說,有著其正面的幫助。

目前市場上許多固態硬碟 (SSD) 都已經轉向 3D NAND 快閃記憶體。因為,不論是性能,還是容量,或者是使用壽命,3D NAND 快閃記憶體都要比傳統 2D NAND 快閃記憶體好得多。而且,廠商也會借此來降低生產成本,以提高產量。就美光為例,其所生產的 2D NAND 快閃記憶體,主力是 16 奈米製程的產品,MLC/TLC 快閃記憶體的核心容量不過 128Gb。但是,藉由 3D NAND 技術的 MLC 快閃記憶體核心容量就有 256Gb,TLC 更是達到 384Gb,大大優於 2D NAND 快閃記憶體。

事實上,在轉向 3D NAND 生產方面,實力最強的仍以南韓三星領先,東芝 (Toshiba)/ Sandisk 與 SK 海力士其次,英特爾 (Intel) 和美光的動作算是比較慢的了。不過,一旦 3D NAND 快閃記憶體開始量產,由於容量先天性的優勢,產能超過 2D NAND 快閃記憶體將是遲早的事。

(首圖來源:Micron 官網)