3D NAND Flash 躍昇主要製程 下半年 NAND Flash 供需取決於新 iPhone 狀況

作者 | 發布日期 2017 年 04 月 26 日 13:20 | 分類 Samsung , 晶片 , 處理器 follow us in feedly


根據 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 的最新研究資料顯示,隨著 2017 年下半年各家記憶體廠最在新的 64 層堆疊 3D-NAND Flash 快閃記憶體的產能開出後,預估 2017 年第 3 季 3D-NAND Flash 產品的產能比重將正式超越 50%,成為 NAND Flash 產品市場的主流製程。

DRAMeXchange 指出,從供給面來看,各家記憶體大廠的 3D-NAND Flash 新增產能逐漸提升之後,未來的相關觀察重點將會是在於良率的提升速度,以及導入 eMMC 與 SSD 等各項 OEM 的產品的速度上。同時,整體 NAND Flash 產品的供貨狀況是否維持當前吃緊的狀態,下半年新一代 iPhone 需求的強弱也將影響這樣的狀況。

就廠商方面來觀察,三星與美光兩家記憶體大廠的 3D-NAND Flash 產出比重超過 50%,SK 海力士則是以衝刺 72 層的產品。再從各家進度來分析,三星依舊維持 3D-NAND Flash 上市場的領頭羊位置。其 48 層堆疊的 3D-NAND Flash 不但廣泛應用在企業級與消費級固態硬碟,以及行動型 NAND Flash 的裝置上,而且三星還憑藉著較佳的性價比,快速搶攻整體市佔率。現階段,三星的平澤廠機台裝機已經完成,並且預計從 2017 年 7 月起正式生產最新 64 層的 3D-NAND Flash 產品。

另外,在東芝與威騰 (WD) 陣營的部分,雖然之前已有 48 層堆疊的 3D-NAND Flash 的產品,但整體發展重點仍在 64 層堆疊的產品上。時間上,預計最快於 5 月底開始送樣測試,2017 年下半年將可順利量產。

至於,美光目前在 3D-NAND Flash 產出比重也超越 50%,僅次於第一名的三星。而且,目前 32 層堆疊的 3D-NAND Flash 不僅為各大模組廠的主要供貨來源,美光品牌的固態硬碟也十分熱銷。而另一家韓國記憶體大廠 SK 海力士的部分,繼之前推出 36 層與 48 層的 3D-NAND Flash 產品之後,日前也宣佈直接跨入 72 層的 3D-NAND Flash 產品的生產,預期 2017 年下半年量產後,就可快速拉近與領先集團的距離。

(首圖來源:美光官網)