三星、SK 海力士半導體投資歷史高!外資:DRAM 不致過剩

作者 | 發布日期 2017 年 08 月 02 日 15:15 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


看好 DRAM、NAND 型快閃記憶體的發展,三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)傳出今年的投資額,將刷新歷史新高紀錄。

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