三星、SK 海力士半導體投資歷史高!外資:DRAM 不致過剩

作者 | 發布日期 2017 年 08 月 02 日 15:15 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly


看好 DRAM、NAND 型快閃記憶體的發展,三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)傳出今年的投資額,將刷新歷史新高紀錄。

韓聯社 2 日報導,消息顯示,三星、SK 海力士今年的投資額將高達 30 兆韓圜(相當於 267 億美元)。其中,三星已在上半年對設備投資了 12.5 兆韓圜,直逼去年一整年的投資額度 13.1 兆韓圜;專家估計,三星今年的投資總額或許會攀升至 20 兆韓圜,而 V-NAND 型快閃記憶體、影像感測器和晶圓代工業務將是投資重點。

SK 海力士也決定在今年對設備投資 9.6 兆韓圜,希望能擴充 DRAM 和 NAND 型快閃記憶體產能,比稍早預定的 7 兆韓圜還要高出一些。SK 海力士一名主管說,這些投資旨在滿足市場對 DRAM、NAND 型快閃記憶體日益增多的需求,另外也是為長遠的未來做打算。

不少人擔憂,三星、SK 海力士投資大增,恐怕會讓產能過剩,最終導致供給過多、報價下滑。美國記憶體大廠美光(Micron Technology)最近就因為市場憂心供需失衡,股價連番下挫,自 7 月 24 日起跌迄今,股價已重挫逾 11%。

不過,barron`s.com 1 日引述 TheFlyontheWall 報導,美系外資分析師 Christopher Danely 發表研究報告指出,美光股價近來雖因市場擔憂記憶體產能過多而下滑,但今年增加的 DRAM 資本支出(從 89 億美元上升至 99 億美元)其實並不多,不致於會導致產業景氣降溫。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Dick Thomas Johnson CC BY 2.0)