2018 年 NAND Flash 供給年增 42.9%，供需由緊俏轉為平衡

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，2017 年 NAND Flash 產業需求受智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動，加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自 2016 年第 3 季起已持續六季；2018 年 NAND Flash 供給將增加 42.9%，需求端將成長 37.7%，整體供需狀況將由 2017 年的供不應求轉為供需平衡。

DRAMeXchange 資深研究經理陳玠瑋指出，從 NAND Flash 的供給面來看，因為 NAND 製程從 2D 轉進 3D 不如預期，導致 2017 年非三星陣營的新增產能沒有 100% 完善利用，再加上轉換期間帶來的產能損失，讓 2017 年市場呈現整體供不應求的狀態，2018 年隨著非三星陣營供應商在 64 / 72 層 3D-NAND 製程成熟後，整體 NAND Flash 產業供給量年成長率預估將達 42.9%。

然而，觀察 2018 年需求面狀況，在第 1 季淡季影響下，智慧型手機、PC、平板電腦等出貨量預期將比 2017 年第 4 季來得明顯下滑，綜觀供給與需求面狀況，2018 年 NAND Flash 市場將從供不應求轉為供需平衡。

2018 年全球 3D-NAND 產出佔比逾七成，三星技術與規模領先群雄

2017 年在非三星陣營 3D-NAND 製程轉換不順的影響下，3D-NAND 產出佔 NAND Flash 整體產業比重約 50%，2018 年隨著 SK 海力士、東芝／威騰、美光／英特爾陣營的 3D-NAND 比重都提升的情況下，2018 年 3D-NAND 的產出佔比將突破 70% 大關。

從各廠製程進度來看，三星 64 層 3D-NAND 自今年第 3 季已進入量產階段且今年第 4 季 3D 產能比重將突破 50%，明年將提升到 60%~70% 水準。SK 海力士今年第 4 季 3D-NAND 產能佔比約為總產能的 20%~30% 水準，以 48 層 3D-NAND 為主，但明年將會專注於擴充 72 層 3D-NAND 產能，3D-NAND 產能比重在 2018 年第四季也會來到 40%~50%。

東芝／威騰陣營今年上半年主流製程為 48 層 3D-NAND，預期今年第 4 季 3D-NAND 的佔比將會佔東芝／威騰陣營整體產能約 30% 水準，2018 年第 4 季目標突破 50%。在產能規畫上，新的半導體廠房 Fab6 在 2017 年 3 月已開始動工興建， 預計 2019 年才會開始量產最新 3D-NAND 產品。值得注意的是，由於東芝與威騰電子目前對於新廠的合作態度與先前不同，所以日後可能仍有變數。

美光／英特爾陣營今年上半年 32 層 3D-NAND 產出已有穩定的經濟規模，並在今年第 3 季起開始量產 64 層 3D-NAND，目前良率已達量產水準，今年第 4 季 3D-NAND 產能比重有機會到 40%~50%。2018 年隨著英特爾將擴充中國大連廠第二期產能，其 3D-NAND 比重將於明年第 4 季提升到 60%~70% 水準。

（首圖來源：shutterstock）