甫傳出請辭中國清華紫光集團旗下紫光控股與紫光國芯兩家子公司董事長及董事職務的趙偉國，9 日出席於中國深圳召開的第 6 屆中國電子資訊博覽會中表示，未來將整合中國國內的資源，在武漢、南京、成都合計投資人民幣 1,800 億元，進行記憶體基地的研發與建置。也就是未來將要藉由大規模的投資，在南京及成都兩地成功複製兩個武漢新芯。
趙偉國在專題演講中，一開始就指出，在美國川普的貿易戰之下，證明國際貿易並非平的。因此，藉由美國 301 政策的公布名單，把紫光集團列入之列，是給了紫光一次全球露臉的機會。也說明紫光的半導體事業符合企業戰略與國家戰略。
因此，目前紫光集團除了已經籌資人民幣 1,800 億元之外，還正與和重慶政府、國家大基金等發起註冊地位於重慶的紫光國芯積體電路股份有限公司（簡稱大公司），其註冊資本額達人民幣 1,000 億元。另外，希望透過資本額達人民幣 1,000 億以上的中國企業，共同籌資人民幣 1,900 億元。以總計達人民幣 3,700 億元的資金，分 5 年投資在中國半導體產業的投資上。
趙偉國進一步強調，為什麼要以 5 年的時間花人民幣 3,700 億元在半導體產業上。主要是因為紫光要跟英特爾、三星、台積電等這 3 家半導體巨擘看齊。因為這些公司每年在半導體上的投資金額都超過 100 億美元。這金額大致與紫光以人民幣 3,700 億元，使用 5 年的想法大致一致。
不過，趙偉國還強調，雖然資金在一個起跑線上，還得要技術的長期累積。因為有錢，沒技術的公司是要不得的，也是沒有競爭力的，所以將藉由紫光集團旗下包括長江存儲、展訊、銳迪科、華三等系列公司，來支援形成中國自身的半導體產業，並形成初步的記憶體生態。
其中，針對記憶體的布局部分，趙偉國表示，武漢新芯已經投資 800 億，在技術創新、模式探索等自主研發上。未來將在這個基礎上，再透過相關資源的整合，以在南京、成都分別投資人民幣 500 億元再複製 2 個武漢新芯，以建立完整的記憶體產業生態圈。事實上，對於外界質疑，面對全球 3D NAND Flash 大廠，包括三星，SK 海力士、東芝、美光等，都已經跨入生產 64 層堆疊的 3D NAND Flash，並且往更先進技術發展的同時，紫光目前還停留在 32 層堆疊的技術上，使得紫光集團過往在記憶體發展的投資上，其結果似乎不如預期。
對此，趙偉國就強調，紫光集團旗下的長江存儲 32 層 64G 3D NAND Flash 快閃記憶體將會在 2018 年達成小規模量產的目標，2019 年 64 層 128G 3DNAND Flash 快閃記憶體則將會進入規模研發的階段。在此次趙偉國公布長江存儲的量產計畫後，預計在未來 2 年，或許就可以看到內建中國快閃記憶體的智慧手機問市。
(首圖來源:中國半導體產業聯盟提供)
