兆易創新與合肥長鑫年底將試產 19 奈米 DRAM,但拉良率還需數年

作者 | 發布日期 2018 年 05 月 21 日 18:40 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly


根據中國媒體報導,中國本土記憶體廠商兆易創新(Gigadevice)與合肥長鑫合作生產的第 1 顆中國本土生產 DRAM,將使用 19 奈米製程技術,並預計在 2018 年下半年開始試產,未來量產後的總產能可達全球 DRAM 產能 8%。

報導指出,2017 年 10 月,兆易創新宣佈斥資人民幣 180 億元進軍 DRAM 市場,與合肥市產業投資控股有限公司合作,目標是研發 19 奈米製程的 DRAM 記憶體,並預計在 2018 年底前研發成功。而且其 「研發完成」 的目標,就是達成產品良率不低於 10% 的水準。而這個計畫就是跟合肥長鑫進行合作,原來傳聞的前日本爾必達社長阪本幸雄投資的香港兆基公司,並沒有在合作名單中。

另外,來自《安徽商報》的報導,位於合肥空港經濟示範區的合肥長鑫 12 吋記憶體晶圓製造基地計畫,其中的 300 台研發設備已全部到位,營運及研發團隊全部入駐廠房辦公區中,並預計在 2018 年下半年將投片試產。報導也表示,合肥長鑫在 2018 年有望造出第一顆中國本土的 19 奈米製程 DRAM 記憶體,而這說的也就是與兆易創新合作的那個 19 奈米製程記憶體。

事實上,目前全球 DRAM 三大廠,包括三星、美光、SK Hynix 都早已經完成了 20 奈米製程的 DRAM 晶片的研發,三星還夠將主力製程進一步推進至新一代的 18 奈米製程上。因此,合肥長鑫的 19 奈米記憶體一旦能夠生產,將是目前除了三大廠之外,最為先進的製程。

合肥長鑫的 DRAM 計畫投資金額超過 72 億美元,預計建設三期工程。目前建設的是一期工程 12 吋晶圓廠,建成之後預計月產能為 12.5 萬片。而針對這樣的產能,《安徽商報》表示將達到全球 DRAM 記憶體產能的 8%。

針對合肥長鑫的 19 奈米製程 DRAM 記憶體生產計畫,目前的關鍵點就在於良率上,因為目前合肥長鑫的 19 奈米製程 DRAM 記憶體還是很低,雖然研發目標是不低於 10%,但即使是這個水準,還是不可能進行進一步的量產。所以,要完全解決良率的問題,市場人士分析可能還要幾年時間。

(首圖來源:shutterstock)