兆易創新與合肥長鑫年底將試產 19 奈米 DRAM，但拉良率還需數年
作者 | 發布日期 2018 年 05 月 21 日 18:40 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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兆易創新與合肥長鑫年底將試產 19 奈米 DRAM，但拉良率還需數年

根據中國媒體報導，中國本土記憶體廠商兆易創新（Gigadevice）與合肥長鑫合作生產的第 1 顆中國本土生產 DRAM，將使用 19 奈米製程技術，並預計在 2018 年下半年開始試產，未來量產後的總產能可達全球 DRAM 產能 8%。

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