英特爾 10 奈米製程贏過競爭對手,但良率問題使量產延後

作者 | 發布日期 2018 年 06 月 14 日 17:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 處理器 follow us in feedly

雖然,目前處理器大廠英特爾(intel)的主力製程為 14 奈米,不過日前公布以 10 奈米製程,Cannonlake 架構生產的 Core i3-8121 處理器已經上市,而且還搭載在聯想 Ideapad 330 的筆記型電腦上。因此,既然有了產品,就有媒體開始以此來研究英特爾 10 奈米製程的狀況。根據目前實測的結果,英特爾的 10 奈米製程中,電晶體密度達到了 100MTr/mm² ,是 14 奈米製程的 2.7 倍。而且,在處理器中,英特爾首次使用了貴金屬釕,增加起導電特性。




根據外國科技媒體《Techinsights》在日前以聯想 Ideapad 330 中的 Core i3-8121 處理器進行的測試分析,雖然詳細報告還沒有發布,但就先公布的幾項數據來看,英特爾的 10 奈米製程邏輯電晶體密度達到了 100.8MTr/mm²,也就是每平方毫米 1 億個電晶體,電晶體密度是 14 奈米製程的 2.7 倍多的水準。

另外,10 奈米 FinFET 製程使用的是第 3 代 FinFET 電晶體製程技術,其最小柵極距(gate pitch)從之前的 70 奈米,縮小到了 54 奈米。而最小金屬間距(metal pitch)也從之前的 52 奈米,縮小到了 36 奈米。以這樣的技術層級下,與現有 10 奈米製程,以及即將問世的 7 奈米製程相比,英特爾 10 奈米製程具有最好的間距縮小技術。另外,因為英特爾的 10 奈米製程在後端製程的 BEOL 中,首次聯合使用金屬銅及貴金屬釕,使得其導電性能提升。而且在 contact 及 BEOL 端也使用了自對齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)。

關於英特爾的10 奈米製程優勢,英特爾執行長科再奇日前表示,英特爾的 10 奈米製程為什麼難產的一大原因,就是他們對 10 奈米製程指標定的太高了。例如 10 奈米製程在 100MTr/ mm² 的電晶體密度上,實際上跟台積電、三星的 7 奈米製程差不多,這是較競爭對手優秀之處,但是因為碰上了良率的問題時,會讓英特爾的 10 奈米製程發展屢屢難產,也讓最後量產時間要比台積電與三星兩家競爭對手落後兩年多。

(首圖來源:Flickr/Pascal Volk CC BY 2.0)