兆易創新朱一明辭任執行長,改接合肥長鑫執行長衝 DRAM 量產

作者 | 發布日期 2018 年 07 月 18 日 17:00 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly


根據中國媒體報導,全力發展記憶體產業的中國企業,近期又開始有新產品投入量產。那就是合肥長鑫日前宣布已經開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體。巧的是,就在合肥長鑫宣布開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體之後,兆易創新的董事長兼執行長的朱一明,也隨即在 7 月 16 日宣布辭去兆易創新執行長職務,由合肥長鑫原執行長王寧國的手中,正式接任合肥長鑫存儲及睿力執行長,顯示中國對發展記憶體產業的重視,並希望借助朱一明的經驗,來打造中國記憶體產業版圖。

報導指出,2017 年,中國總計進口了 896 億美元的記憶體,也就是幾乎 100% 依賴進口,這使得記憶體產業也被中國列入重點發展的產業之一。但是,對比南韓,三星 17 日宣布,將量產新一代的 8Gb LPDDR5 DRAM 記憶體的情況,在中國,雖然紫光集團旗下的西安紫光國芯雖然有 DDR3、DDR4 記憶體顆粒生產。不過,技術來源是之前已經破產的奇夢達。因此,對於合肥長鑫能開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體來說,可說是中國廠商在記憶體市場上的一次新的突破,使得各界格外關心這件事情。

目前,中國有 3 大記憶體生產基地,其中,由紫光集團主導的長江存儲以武漢為基地,主要生產 3D  NAND Flash 快閃記憶體為主,預計 2019 年將正式投產 32 層堆疊的 64Gb 快閃記憶體。至於,選擇生產 DRAM 記憶體的有兩大陣營,包括福建晉華集團與台灣晶圓代工大廠聯電合作,在福建晉江設立的 DRAM 生產晶圓廠。另一個,就是這次預備生產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體的合肥長鑫。

目前,合肥長鑫的合作夥伴就是兆易創新。兆易創新在 2017 年 10 月宣布斥資人民幣 180 億元進軍 DRAM 市場,與合肥市產業投資控股有限公司合作,目標是研發 1x 奈米等級的 19 奈米製程的 DRAM 記憶體,預計在 2018 年 12 月 31 日前達到產品良率不低於 10% 的目標。而整個合肥長鑫的 DRAM 投資案超過 72 億美元,工程將分 3 期完成。目前的第 1 期的 12 吋晶圓廠工程,預計投產後可達到月產能 12.5 萬片的規模。而這樣的產能達到全球 DRAM 記憶體產能的 8% 市占率。目前,合肥兆鑫已經正式投片生產 8Gb LPDDR4 的 DRAM 記憶體,成為中國首個生產該規格 DRAM 的廠商。

此外,合肥兆鑫執行長王寧國在 2018 年 4 月在出席合肥舉辦的 「國家積體電路重大專項走進安徽活動」 上表示,合肥長鑫的一廠廠房已經於 2018 年 1 月建設完成,設備也開始安裝。根據計畫,合肥長鑫將於 2018 年年底推出 8Gb DDR4 DRAM 樣品,2019 年第 3 季推出 8Gb LPDDR4 DRAM 產品,至 2019 年年底,產能將達到每月 2 萬片的規模。而且,從 2020 年開始,也將開始規劃 2 廠的興建,並於 2021 年則完成 17 奈米製程的研發。而就在合肥長鑫推出這些計畫之後,王寧國也在日前宣布離職,由兆易創新董事長朱一明接任該職位。

據了解,合肥長鑫在此關鍵點會有這樣的人事調動,一方面與王寧國完成廠房建立接段性任務有關,另一方面也希望藉助過去之一明在研發及量產銷售上的經驗,為合肥長鑫未來的發展進行加持。而這樣的人事安排,有消息指出是通過了合肥相關單位與大基金的同意,未來接任合肥長鑫執行長的朱一明,將會持續執行研發與生產的工作。

(首圖來源:兆易創新)