根據國際半導體產業協會（SEMI）的統計，2018 年全球晶片製造商的設備支出金額將成長 14%，來到 628 億美元。而 2019 年則將再成長 7.5%，來到 675 億美元。其中，高階晶圓廠的建設資本支出飆升超過百億美元以上。只是，隨著製程的提升，也使得晶圓製造技術在延續摩爾定律 (Moore’s Law) 的推進上，目前面臨著挑戰。
在 SEMI 發出最新世界晶圓廠預測報告指出，2019 年的高階晶圓製造資本支出將達到 170 億美元，是連續第 4 年成長，也是史上對晶圓製造設備投資最高的一年。而且，該年新晶圓廠的建設投資也接近創紀錄的水準。另外，隨著大量新晶圓廠的出現，也提升了對晶圓製造設備的需求，這對晶圓廠技術、產品的升級，以及額外產能的擴張都將會增加。
報告中進一步表示，SEMI追蹤了 78 個新晶圓廠和生產線，這些新晶圓廠和生產線已經開始或計劃在 2017 年至 2020 年之間開工建設，最終將需要價值約 2,200 億美元的晶圓廠設備。其中，這些晶圓廠和生產線的基礎設施建設支出，則預計將達到 530 億美元。
而在這些項目中，以南韓將投資 630 億美元的金超越其他地區。不過，在金額上卻僅比排名第二的中國要多 10 億美元。至於，日本和北美在晶圓廠方面投資，其金額分別是 220 億美元和 150 億美元。而在歐洲及東南亞部分，總投資金額均為 80 億美元。而在這些投資金額中，占最大項目的在於記憶體的生產部分，大約占 60%。而這些記憶體產品以 3D NAND Flash 快閃記憶體為主，而將用於智慧型手機和資料中心上。另外的三分之一的晶圓廠投資，則將用於晶圓代工的部分。
▲ 2017-2020 年間開始興建之晶圓廠和產線投資預測。
據了解，在 2017 年至 2020 年開始建設的 78 個晶圓廠建設計畫中，59 個是在 2017 年和 2018 年開始建設的，另外的 19 個則預計在 2019 年和 2020 年開始建設。對此，SEMI 指出，新晶圓廠的建設通常需要一到一年半的時間。不過，有些晶圓廠需要兩年，甚至更長時間，這取決於公司實力、晶圓廠規模、產品類型，以及地區等各種因素。在總計約 2,200 億美元投資中，有一半將在 2017 年到 2020 年期間完成。其中，2017 年和 2018 年投資的不到 10%，2019 年和 2020 年的投資接近 40%，2020 年後的投資接近 40%。
最後，SEMI 表示，儘管這 2,200 億美元的預算是目前已經開工建設和公司公布的晶圓廠計畫，但是由於許多公司持續宣布新的晶圓廠計畫，總支出可能超過這個水準。因此，未來整體的金額還可能持續提升中。
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