聯電遭起訴再發聲明,強調技術自研且未來將積極自我防衛

作者 | 發布日期 2018 年 11 月 10 日 14:20 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly

針對美國司法部日前以商業間諜的罪名起訴包括中國福建晉華、台灣聯電、以及 3 名台灣籍個人的做法,聯電 9 日深夜發出相關聲明表示,聯電的技術先進,並且擁有自行研發的相關技術,而與中國福建晉華的合作純屬商業的考量,且當時也還未有中美貿易戰爭的事情發生。因此,對於該事件聯電將會積極的自我防衛。




聯電在聲明中指出,聯華電子是國際公認、台灣起家的半導體公司。38 年來,在全球的供應鏈上,已經成為不可或缺的一員,先進量產技術達 14 奈米。對比之下,美光公司爭執所涉及的 DRAM 技術,是 32 奈米,在聯華電子的計畫啟動當時,已經是落後幾個世代的技術。

而社會上有一個錯誤的印象,認為聯華電子沒有任何 DRAM 的知識或經驗,這不是事實,而且是極端的不實。從 1996 年到 2010 年,聯華電子積累了近 15 年製造 DRAM 產品的經驗。甚至在某個時間點上,聯華電子內部 DRAM 團隊人數,超過 150 人。聯華電子是一個有組織的企業機構,藉由堅實而穩定的團隊,掌握並保存了豐富的 DRAM 知識和經驗。

舉個例子來說,現任聯華電子共同總經理之一的簡山傑,是 1996 年時開發 DRAM 產品的 RAM 製程開發經理。另一個實例則是: Alliance 公司是 1996 年第一個獲得聯華電子公司授權合作 DRAM 夥伴之一,該公司是一家總部位於美國的 DRAM 晶片設計公司,藉由聯華電子的技術進行 DRAM 製造。除了傳統的 DRAM 技術外,2009 年聯華電子更成功開發了屬於自己的嵌入式 DRAM 製程技術,這比製造標準型 DRAM 的過程要複雜得多。

另外,聯華電子同意與晉華公司聯合開發 DRAM 製程,這是一個與聯華電子晶圓專工服務完全分開的單獨項目,在做成決策當時,只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易,已經向台灣政府正式提出申請,主管機關亦已於 2016 年 4 月核准整個項目。值得一提的是,那時還未聽說有中美貿易戰。

至於,自從聯華電子開始為晉華公司開發 DRAM 製程技術,履行合約義務,聯華電子已經花費了數億新台幣。儘管這個專案的研發團隊成員接近 300 人,但只有不到 10% 的人曾在美光公司工作過。

相反於美光所提出民事和刑事訴訟製造的假象,聯華電子的 DRAM 技術基礎裡的元件設計,是完全不同於美光公司的設計。簡而言之,聯華電子開發的記憶胞架構是 3×2 佈局的儲存單元,這與美光公司的 2×3 佈局的儲存單元是完全不同的。

另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了 25 奈米的 DRAM 技術。事實是,美光公司在 2010 年初,購買了台灣的瑞晶公司和日本的爾必達公司的 25 奈米 DRAM 技術。

聯華電子不要 「在報刊上」 進行這場訴訟,但聯華電子要向我們的客戶和投資人保證,聯華電子對於任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責,將全力並積極地自我防衛。

(首圖來源:科技新報攝)