半導體資本支出今年可望增 15%,2019 年恐減 12%

作者 | 發布日期 2018 年 11 月 30 日 12:00 | 分類 晶片 , 財經 , 零組件 follow us in feedly


今年半導體業資本支出可望首度突破 1,000 億美元大關,達 1,071 億美元,將增加 15%,研調機構 IC Insights 預期,明年半導體資本支出可能趨緩,將減少 12%。

IC Insights 預期,三星(Samsung)今年資本支出可能比去年的 242 億美元減少,不過,仍將維持在 226 億美元高檔水準,還是會居全球半導體業之冠。

三星近兩年資本支出合計將高達 468 億美元規模,IC Insights 表示,除三星大舉支出,SK 海力士(Hynix)等競爭對手支出也相當積極,已造成 3D 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產能過剩。

IC Insights 指出,SK 海力士今年半導體資本支出可能增加 58%,增加的支出將主要集中在南韓的 3D NAND Flash 廠與中國無錫的動態隨機存取記憶體(DRAM)廠。

IC Insights 說,當前動態隨機存取記憶體(DRAM)市場疲軟,可能延續到明年上半年,三星、SK 海力士與美光(Micron)3 大 DRAM 供應商的資本支出,可能從 2018 年的 454 億美元,下滑到 2019 年的 375 億美元,減少17%。

IC Insights 預期,明年整體半導體業資本支出可能較今年減少 12%;其中,三星、英特爾(Intel)、SK 海力士、台積電與美光 5 大廠明年資本支出將減少 14%,其餘的半導體廠明年資本支出減少幅度可能較小,將減少約 7%。

(作者:張建中;首圖來源:shutterstock)