合肥長鑫預計年底量產 1x 奈米 DDR4 DRAM，自主設計將成量產關鍵

作者 Atkinson | 發布日期 2019 年 09 月 12 日 12:10 | 分類中國觀察 , 國際貿易 , 會員專區

雖然受到美國的壓力，但中國發展記憶體的決心似乎仍未改變。就在日前中國紫光集團宣布，將在重慶投資數百億建設 DRAM 記憶體研發中心及晶圓廠，預計最快 2021 年量產之後，現在又傳出中國的合肥長鑫將在年底前生產 DDR4 DRAM 記憶體，並採第一代 1x 奈米的製程生產，初期希望能達到 2 萬片的產能。