NAND Flash 市況好轉,中國長江存儲直接殺入 128 層堆疊開發

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 17 日 15:45 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly


日前,中國記憶體廠商長江存儲確認自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在 2019 年投入量產,並正在擴充的產能,將儘早達成約產能 10 萬片的規模,並達到計畫總產能每月 30 萬片的目標。如今,長江存儲再宣布下一個階段的技術發展目標,就是將跳過如今業界常見的 96 層,直接投入 128 層 NAND Flash 的研發工作,不過,暫時沒有具體的目標時間表。

對於長江存儲計畫跳過 96 層堆疊,直接投入 128 層堆疊 NAND Flash 產品的發展計畫,市場人士反映,在中國極力發展自主半導體產業的情況下,期望彎道超車已經是中國各廠商努力的目標,只是屆時能不能完成,則還有待觀察。

事實上,2020 年,全球 NAND Flash 產業將集體朝向 100 層以上堆疊的發展已經成為趨勢。例如南韓 SK 海力士已在近期出貨 128 層 NAND Flash,並預計在年底完成 176 層堆疊產品的開發。至於三星則以 128 層、136 層的產品發展為主,威騰電子與鎧俠 (原東芝記憶體) 則都是以開發 112 層堆疊的高密度產品為主。美光方面則將進入 128 層堆疊的領域,而英特爾則會建立 144 層堆疊的產品產線。

過去,長江存儲推出 64 層堆疊的 NAND Flash 產品,相對於國際大廠有一到兩代的差距。因此,這次選擇以 128 層堆疊的產品發展,一旦真的成功,無疑的將能進一步縮小與業界其他領先對手的差距。不過,在技術的挑戰性上也將會更大。

據了解,長江存儲在技術創新方面,透過自行研發的 Xtacking 堆疊架構,已經可以保證可靠性問題,而目前下一代的 Xtacking 2.0 也正在開發中,未來可把效能與可靠性層次提升,這也是長江存儲有自信直接搶攻 128 層堆疊市場的重要關鍵。

根據長江存儲之前的介紹,Xtacking 架構就是在兩片獨立的晶圓上加工週邊電路和儲存單元,有利於選擇更先進的製程技術,提升 NAND Flash 的 I/O 介面速度、儲存密度,使得晶片面積也能減少約 25%。

而且,當兩片晶圓各自完工後,只需一個處理步驟就可透過數百萬根垂直互聯通道 (VIA),將兩片晶圓結合在一起。因此,長江存儲強調,受惠於並行且模組化的產品設計及製造方式,這使得 Xtacking 架構的 NAND Flash 的開發時間也可縮短 3 個月,生產週期也可縮短 20%。

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)日前的調查報告指出,由於 Client SSD 合約價自高點連跌 7 季之後,其與傳統硬碟的成本差距已經不遠,使得自 2019 年第 2 季起刺激筆記型電腦搭載 SSD 的比重及容量顯著上升。

另外,2019 年 6 月中旬後,鎧俠/威騰位在日本三重縣四日市的廠區發生跳電問題,導致市場供給量下降,因此帶動 eMMC/UFS、SSD 成交價格在 2019 年第 3 季中止跌。至於,Wafer 市場則更是迅速反彈,2019 年第 3 季上漲近 20%,eMMC/UFS 及 SSD 合約價也在 2019 年第 4 季翻漲。因此,總體而言,預估2020 年第 1 季 NAND Flash 將呈現淡季不淡。

而在此 NAND Flash 市況逐漸好轉的情況下,長江存儲 NAND Flash 產能的擴張,再加上即將投入最新堆疊技術的情況下,究竟能對市場帶來多大的影響,則有待後續的進一步觀察。

(首圖來源:長江存儲)