看好氮化鎵前景，意法半導體收購法國 Exagan 多數股權

意法半導體（STMicroelectronics，ST）宣布，已簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業 Exagan 多數股權的併購協議；Exagan 的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率 GaN 的研發和業務。Exagan 將繼續執行現有產品規劃，意法半導體將為其部署產品提供支援。

意法半導體總裁暨執行長 Jean-Marc Chery 表示，意法半導體的碳化矽發展佈局具備強大動能，現在公司正擴大投入另一種前景看好的複合材料氮化鎵，以促進車用、工業和消費性市場客戶採用 GaN 功率產品；收購 Exagan 的多數股權可強化公司在全球功率半導體市場的領先地位，同時也是內部對 GaN 長遠規劃、生態系統和業務向前邁出的另一步。這也是繼目前與 CEA-Leti 在法國圖爾的開發專案，還有近期宣布與台積電合作專案的另個成果。

據了解，氮化鎵屬於寬頻隙（WBG）材料家族，其中包括碳化矽；GaN 基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步，效能和功率密度優於矽基電晶體，GaN 基板元件節能省電、縮減系統大小。GaN 元件適合各種應用，例如伺服器、電信和工業用功率因數校正和 DC / DC 轉換器；電動車車載充電器和車規 DC-DC 轉換器，以及電源適配器等個人電子應用。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Exagan）