韓國媒體 BusinessKorea 引述台灣媒體的報導指出，晶圓代工龍頭台積電將於 9 月底從荷蘭 ASML 公司接收第一套 High-NA EUV 曝光機──EXE:5000，這對對於全球領先台積電來說是一個重要的里程碑，但是對競爭對手三星來說，無疑地將拉大兩家公司的競爭差距。
最初台積電對於早期就採用 High-NA EUV 曝光機持保守態度，原因是成本過高，且關係到生產複雜性的最佳化問題。不過，針對 AI 晶片對先進製程需求的快速成長，促使台積電修改了策略。期望透過提前獲得新一代 EUV 曝光機，未台積電在激烈競爭的半導體產業中保持其技術的優勢。
High-NA EUV 曝光機將數值孔徑從 0.33 增加到 0.55，可在半導體晶圓上達到更高解析度和更精確的曝光作業。這項技術對於 2 奈米以下節點製程的開發至關重要，因為 2 奈米以下節點製程對於生產更小、更強大、更高效的晶片為重要關鍵，這使得每套 High-NA EUV 曝光機的價格約 3.84 億美元，期也反映了其先進製程所需的大量投資。
台積電計劃從 A14 節點製程開始採用 High-NA EUV 曝光機，並規劃在 2027 年開始量產。隨著英特爾在代工業務面臨挑戰，台積電擁有的領先技術，將可以鞏固其在先進製程技術競爭中的領先地位。另一方面，相較於台積電，韓國三星在取得 High-NA EUV 曝光機的競爭中落後了，因此需要修改其發展策略。三星計畫於 2025 年量產 2 奈米節點製成，到了 2027 年開始量產 1.4 奈米節點製成，這與台積電的發展藍圖保持一致。不過，三星必須驗證其先進製程製程技術的良率狀況，以以吸引大客戶青睞，並縮小與台積電的差距。
市場研究公司 TrendForce 資料顯示，台積電 2024年第二季在代工市場上拿下了 62.3% 的市占率，大幅超過了三星電子 11.5% 的占比。根據一位韓國市場人士評論表示，三星電子將 3 奈米以下節點製成視為縮小與台積電差距的最佳戰場，但是，引進 High-NA EUV 曝光機的落後時間越多，技術差距擴大的可能性也就越大。
台積電推出 High-NA EUV 曝光機技術，凸顯了半導體產業的激烈競爭，技術進步和策略投資對於維持市場領先至關重要。隨著對 AI 帶動應用的需求持續激增，先進製程技術的開發和商業化競賽只會加劇，進而塑造半導體製造的未來格局。
(首圖來源：台積電)
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