韓國媒體報導，科技大廠三星電子逐步縮減雄心勃勃的晶圓代工業務，轉將資源集中市場急需的 AI 記憶體晶片。韓國中央日報報導，三星別無選擇。
第三季財報電話會議三星暗示，將與其他晶片製造商合作生產高頻寬記憶體（HBM）晶片，也承認動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片良率令人失望。
三星執行副總裁金在俊 (Kim Jae-june) 電話會議表示，正為多個客戶準備客製化的 HBM。因為滿足 HBM 客戶的需求非常重要，因此無論是內部，還是外部，我們將靈活選擇晶圓代工合作夥伴來製造基礎晶片。而會有這樣的規劃，是三星在半導體代工上的良率一直令人擔憂。然而，晶圓代工業務的競爭力很大程度上取決於良率，即每片晶圓可生產出多少晶粒，這直接關係到製造成本和速度。因此，三星才會決定尋求晶圓代工合作夥伴的合作。
三星曾強調 AI 晶片「一站式」服務，提供記憶體晶片、晶圓代工和先進封裝等完整服務。但現在為了贏得市場最大 HBM 客戶──輝達的訂單，正在放棄這一核心策略。韓國新英證券半導體分析師朴相旭就表示，三星未來將可能與台積電合作，而這將是一項史無前例的做法，這代表三星的晶圓代工業務因無法改善良率問題，使得技術不受 HBM 主要客戶青睞。而一但確定將晶圓代工業務外包給台積電之後，在自己同時也有一個晶圓代工部門的情況下，這將造成三星嚴重信心打擊。但目前它別無選擇，只能聽取客戶的需求。
儘管三星表示，目前正在向多個客戶供應 HBM3E 晶片，但尚未確定獲得 AI 晶片龍頭輝達的認證通過，以提供目前囊括 AI 處理器市場至少 80% 占比的輝達訂單需求。反觀，輝達已經與 SK 海力士建立了密切的合作夥伴關係，目前 SK 海力士幾乎獨占輝達 HBM 產品的供應。加上，台積電被輝達供應鏈深度依賴，藉以生產其 AI 晶片，並與 SK 海力士的 HBM 進行封裝的情況下，三星不論在哪一方面都處於劣勢。尤其，SK 海力士 2024 年也宣布與台積電進一步合作，共同開發第六代 HBM，也就是 HBM4 的基礎 DRAM 晶粒，計劃於 2025 年下半年交付客戶，這使得三星受大的威脅。
報導引用市場人士說法，三星與台積電合作，將可能是加入輝達生態系統的唯一途徑。然而，一旦真的與台積電合作，則過去三星電子社長李在鎔曾提出雄心勃勃的目標、也就是在 2030 年前趕超台積電，成為全球半導體製造龍頭的目標將成為泡影。而實際上，截至 2024 年第二季，三星在晶圓代工方面的營收市場占比為 11.5%，遠遠落後於台積電的 62.3%，這情況也離成為全球半導體製造龍頭的目標越來越遠。
晶圓代工業務狀況不好也被指為三星第三季業績不佳的主要原因之一。該部門估計將虧損 1.5 兆韓圜（約 10.9 億美元），加上負責晶片設計的 LSI 部門，整個拖累了整個半導體業務獲利。而且，儘管三星承諾美國政府在美國德州泰勒市斥資 230 億美元，建設先進晶片製造設施。但由於良率不佳，三星未能吸引主要客戶，使三星已經將營運時間從最初計劃的 2024 年，延遲到 2026 年。
晶圓代工業務第三季繳出這成績單，三星宣布 2024 年縮減晶圓代工的資本支出，以提高投資效率，也積極發展明年開始量產的 2 奈米製程，期望帶動業績反彈。
(首圖來源：台積電)
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