英特爾日前宣布，對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工，之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而，在該園區經過這第三次大幅延後時間之後，第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年，量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調，其對該園區興建的承諾沒有改變，市場需求允許下加速建設。
英特爾俄亥俄園區曾為矽谷心臟地帶，是雄心勃勃的晶圓廠經造計畫。該園區占地約 1,000 英畝，含高達八座半導體晶圓廠，還進駐支援營運設施和產業合作夥伴。初步投資估計約 200 億美元，總開發成本可能高達 1,000 億美元。雖園區經常延誤，但自 2022 年開工以來，進度也有大進展。
英特爾修改後時間表顯示，俄亥俄州園區採 Intel 14A 和 14A-E 製程後先進製程，計劃 2026~2027 年推出。這些先進製程必須藉 ASML High-NA EUV 生產，但每套尖端 High-NA EUV 成本約 3.5 億美元。
英特爾表示，已開始為俄亥俄州園區招募和培訓員工。工人正在亞利桑那州、新墨西哥州和俄勒岡州現有英特爾晶圓廠接受培訓，為最終在俄亥俄州園區晶圓廠開業做準備。
英特爾決定推遲俄亥俄州園區晶圓廠的完工時間，是因為英特爾和半導體產業正處於充滿挑戰時期。過去一年，英特爾面臨財務損失、裁員和領導層變動等問題。英特爾也簡化產品藍圖，如取消 AI 晶片計畫。
此次延期可能會引發人們對英特爾未來需求前景的擔憂，但使市場不確定期間，能更有效的管理資本支出。生產設備重大投資延後，英特爾可專注恢復獲利能力，同時保持市場條件改善時擴大營運的靈活性。
(首圖來源：英特爾)
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
