二代 GAA 與 NanoFlex Pro 加持台積電 A14，背後供電也助攻

台積電 23 日舉行的北美技術論壇，公開最新 A14 技術。相較 N2 製程，效能、功耗及電晶體密度都明顯提升。A14 核心是台積電第二代環繞閘極（Gate-All-Around，GAA）奈米片電晶體，搭載更靈活 NanoFlex Pro。台積電預估，A14 預定 2028 年量產。

台積電表示，A14 是全新製程，基礎建立在第二代 GAAFET 奈米片電晶體，以及全新標準單元架構上。目的在實現效能、功耗和晶片縮放優勢。台積電業務開發暨全球銷售資深副總經理兼副營運長張曉強表示，A14 節點製程是台積電完整節點的下一代先進矽技術。相較於 N2 節點製程，在速度方面，提升幅度可達 10%~15%，功耗降低幅度可達 25%~30%，邏輯密度則是整體晶片密度的 1.23 倍，或者至少是混合設計的 1.2 倍。因此，張曉強強調，這是一項非常、非常重大的技術進步。

台積電 A14 是全新節點，需全新 IP（智慧財產）、最佳化及電子設計自動化（EDA）軟體，與利用 N2 IP 的 N2P 及具背面供電的 A16 製程不同。最初 A14 版本不具備超級電軌（Backside Power Delivery Network，BSPDN）背面供電。不過，台積電也計畫 2029 年推出具背面供電功能的 A14 版本。

張曉強介紹 A14 關鍵特性，就是 NanoFlex Pro。這架構使晶片設計人員能微調電晶體配置，對特定應用或工作負載實現最佳的功耗、效能和面積（Power, Performance, Area，PPA），非 Pro 版 FinFlex 允許開發人員在一個區塊內混合搭配不同（高性能、低功耗、面積效率）單元，最佳化效能、功耗和面積。台積電尚未公開 NanoFlex 與 NanoFlex Pro 的差異，尚不清楚新版本是否允許單元甚至電晶體更精細控制，或有更好演算法和軟體增強功能，以達成更快發展和最佳化電晶體的目標。

最初 A14 不具備超級功率軌的背面供電網路的原因，台積電解釋，是採用 BSPDN 會增加額外的成本，但是許多客戶端、邊緣和特殊應用可以利用台積電第二代 GAA 奈米片電晶體帶來的額外效能、更低的功耗和更高的電晶體密度，但它們可能不需要密集的電源佈線，因此可以接受傳統的正面供電網路。