為降低成本，台積電放棄 A14 製程用 High-NA EUV 生產

外媒報導，納入半導體新元素方面，台積電一直是領先企業，且領導趨勢。但現在似乎 A14 製程放棄 High-NA EUV 生產，而是求保險仍用標準型 EUV。

Wccftech 報導，在台積電北美技術論壇，台積電業務開發及全球業務的資深副總經理暨副共同營運長張曉強宣布 A14 製程不用 High-NA EUV，英特爾晶圓代工部門和其他 DRAM 製造商採 High-NA EUV 方面比台積電領先。

張曉強說不會用 High-NA EUV 生產 2028 年量產 A14 製程。從 N2 進入 A14 製程，台積電不必用到 High-NA EUV，但能維持類似複雜度，也能減少光罩用量，對有成本效益的解決方案非常重要。

台積電認為 High-NA EUV 對 A14 製程不是那麼重要，因成本會增加 2.5 倍，使 A14 晶片更貴，進入消費產品變困難。且 A14 放棄 High-NA EUV 不代表將來不用，可能用於 A14P。

成本提高是因 A14 單層晶片需多光罩，採 High-NA EUV 代表成本更高，但用 EUV 可藉多重圖案化使晶片複雜性維持同水準，降低生產成本。

但這決定使台積電採用最新工具落後英特爾和部分 DRAM 公司。英特爾傳出 Intel 18A 將以 High-NA EUV 提高良率，產品最早 2026 年推出。台積電用 High-NA EUV 生產的 A14P 目標是 2029 年推出，與同業相較落後至少四年，可能讓對手搶得先機。

(首圖來源：台積電)