美建廠卡關連環爆！美光、Amkor、SK 海力士因當地抗議設廠延誤

《晶片與科學法案》（CHIPS and Science Act）的資助下，許多晶圓廠開始建設或即將進入量產階段，但據外媒 SemiAnalysis 報導，部分建廠因為環境審查與當地居民抗議而尚未動工，陷入「鄰避情結」（NIMBY）或許可流程長達兩年的狀況。目前受影響的項目包括 Amkor 在亞利桑那州的先進封裝廠、美光在紐約的 DRAM 廠房，以及 SK 海力士在印第安納州 HBM 廠。

Amkor 計劃斥資 20 億美元，在亞利桑那州皮奧里亞市（Peoria）附近興建晶片封裝廠，但面臨當地居民的強烈反對。居民擔心此案會對水資源造成壓力，並加劇交通壅塞情況，部分居民甚至揚言控告，並要求該專案遷址。

Amkor 先進封裝設施建成後將擁有超過 50 萬平方英尺（約 46,451 平方公尺）的無塵室空間，供應對象包括台積電 Fab 21 廠區與十多家供應商。由於蘋果已承諾在台積電 Fab 21 生產晶片、並於 Amkor 廠進行封裝，因此建廠計畫能否實施，也將影響蘋果晶片的供應。

美光耗資千億美元的園區延誤，每天損失 500 萬美元

美光宣布在紐約州中部的克萊（Clay）投資為期長達 20 年的 1,000 億美元計畫，建造超大型 DRAM 生產基地，這將是美國史上最大記憶體廠的投資案，如今卻因環評程序遭到延誤，大眾意見徵詢期間延長至 8 月，加上社區反對聲浪尚未解決，原預定 2024 年動工被迫延後。

該廠計畫將建置四間無塵室，總面積達 60 萬平方英尺（約 55,700 平方公尺），約是格羅方德 Fab 8 廠無塵室空間的八倍，而初期建設將先耗資 200 億美元。然而，因嚴重延後，美光現在必須另尋管道，彌補 DRAM 產能缺口。據報導，這座 200 億美元的晶圓廠延後，使得美光每日損失約 500 萬美元。

美光原計劃在 2030 年代中期前，在美國生產 40% DRAM 產能，並同時運作愛達荷州博伊西（Boise）廠與紐約克萊廠，但因為目前建造工程延宕，能否如期實現目標仍是未知數。

SK 海力士雖獲批准，但過程艱辛

SK 海力士斥資 38.7 億美元，在美國印第安那州西拉法葉（West Lafayette）興建首座 HBM 先進封裝廠，預期 2028 年下半年開始營運。雖成功獲批，但 SK 海力士先前面臨當地居民反對，理由是工業設施靠近住宅區可能對生活品質造成影響，使得該案近乎卡關，最終是在與市議會長達七小時的會議後才得以通過。

SK 海力士的 HBM 先進封裝廠預期可創造多達 1,000 個工作機會，該公司也計劃與普渡大學（Purdue University）合作，開展未來的研發項目。

根據 SemiAnalysis 報導，為防止未來開發案再度出現類似狀況，美國部分州政府正著手建立「預先核准」的工業用地，如北卡羅來納州、賓夕法尼亞州與俄亥俄州，已投入資金開發大型場址，這些用地都配備水電等基礎設施，並完成初步環評審核，可直接用於製造設施，無須耗時的許可程序，因此更吸引半導體企業進駐。

支持該策略的人指出，這類策略在前期即完成基礎準備，有助降低開發成本、簡化法規流程、加速供應商投入承諾。由於基礎設施已經先行規劃，州政府也能設置罰則，若企業未履行投資承諾，即可追究責任，提高執行力。另據「安全與新興技術中心」（Center for Security and Emerging Technology）分析，設施獲得許可的速度如今已決定半導體產能擴張進度、及各國對大型晶片企業吸引力的關鍵因素。