在全球記憶體產業面臨技術世代交替之際，DDR4市場正經歷前所未有的結構性變化，導致供應缺口浮現，記憶體大廠華邦電表示，自2025年7月以來，市場「溫度」明顯上升，許多客戶急於洽談較長時間的訂單，顯示對特定產品，特別是DDR4，抱持高度期望。
DDR4供需結構劇變：先進製程與標準限制成主因
華邦電總經理陳沛銘表示，DRAM市場需求的升溫，並非僅是景氣循環，而是源於結構性改變。核心原因在於國際三大DRAM製造商正積極轉向先進製程，例如12奈米及以下節點。然而，12奈米、11奈米，甚至13奈米、14奈米等精細製程節點，為了彌補設計上的缺陷，都需配置所謂的錯誤校正電路 (ECC Circuit)。
陳沛銘強調，根據JEDEC的DDR4標準（Jteck standard），DDR4產品不允許包含ECC電路。這意味著一旦三大廠轉進13奈米以下的製程，他們將無法回頭生產DDR4產品。這使得DDR4的供應生產線被大幅萎縮，市場上只剩下少數廠商，目前看來僅有華邦電及南亞科等兩家公司仍持續供貨。
因此，儘管終端應用如PC正轉向DDR5，但許多領域（如SOC相關）因DDR5記憶體控制器的結構較為複雜、成本較高，且製程需用到台積電12奈米加、10奈米或7奈米等級，使得傳統應用仍傾向使用成本效益較高的DDR4。所以，DDR4供應量目前「不夠」，短期內缺貨難以解決。此外，市場上出現DDR4價格與DDR5價格「倒掛」的現象，部分原因可能是主流供應商故意壓低DDR5價格，以加速市場轉向。
產能與技術雙箭頭推進：規劃擴產、製程轉進16奈米
面對DDR4的強勁需求，陳沛銘表示，華邦電正採取多重策略應對：
1.該公司已完成16奈米製程的CPR (Conditional Protection Release)，正從20奈米製程遷移至16奈米。在維持既有晶圓片數（目前高雄廠為15K片，滿載約27K片）不變的情況下，轉換到16奈米製程可使單片晶圓的顆粒產出增加約30%。
2.儘管製程微縮提升了產出，但產能仍不足。公司正規劃增加晶圓片數。本月底將召開董事會，討論新的投資計畫。新機器的交期約需9個月至1年，預計產能擴充的效益最快可能於2026年第三季後實現。
16奈米的首批8G產品目前正在送樣，預計2026年第一季末或第二季初開始小量產。由於DRAM的生產週期長（從投片到產出約需120多天），這意味著市場缺口在明年第一季仍將持續。
NOR Flash市場同步走強：密度提升驅動需求
除了DRAM，華邦電的另一大業務-NOR Flash也表現亮眼。公司是全球NOR Flash市場的領導者，應用涵蓋車用、PC和網通等領域。陳沛銘指出，第三季NOR Flash價格已略有上漲，預期後續仍有機會繼續調漲。需求強勁的主因是密度變大。例如，以前單一設備使用256Mbit，現在可能轉為512Mbit。由於高密度產品所需的晶圓面積較大，導致同樣一片晶圓片能產出的顆粒數減少，從而推升了對晶圓產能的總體需求。
從外部環境來看，地緣政治因素也為台廠帶來機會。陳沛銘指出，部分中國客戶因背後因素，正要求將美光（Micron）產品替換掉，轉向尋找其他供應商。這種「去美光化」的需求，為台廠提供了直接的業務機會。在競爭方面，雖然中國大陸的長鑫存儲（CXMT）被視為全球第四大DRAM製造商，產能據稱接近第三大廠（美光），但其營收卻僅有美光的5%。重要的是，CXMT亦公開表示將轉向HBM和DDR5，顯示其也將放棄DDR3和DDR4市場。這進一步鞏固了該公司在成熟製程利基型DRAM市場的地位。
Cube預計2026年下半年顯著進展
在尖端技術上，該公司正積極佈局邊緣運算AI (Edge AI)，特別是其Cube架構技術。該架構與HBM不同，不需複雜的Base Controller，控制器可直接整合在SOC中。公司預計Edge AI技術將在2026年下半年有顯著進展，並在2027年成為主要業務。
陳沛銘進一步指出，綜合DRAM和NOR Flash市場的強勁表現，該公司對2025年第四季及2026年整體表現持樂觀態度。預計業績將持續成長，獲利能力也會改善。陳沛銘充滿信心地表示，希望2026年有機會將營業額推升至千億新台幣，加入「千億俱樂部」。這將使該公司成為台灣半導體產業中第七家達成此里程碑的公司、
(首圖來源:科技新報攝)
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