Intel 10 奈米製程將優先生產 3D NAND Flash

作者 | 發布日期 2017 年 09 月 27 日 18:15 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 處理器 follow us in feedly


之前,晶片大廠英特爾(Intel)在中國舉行的「尖端製造大會」,正式展示了由最新 10 奈米製程技術生產的晶圓,並表示 10 奈米製程技術生產的 Cannon Lake 處理器將在 2017 年底前量產,使玩家都引頸期待。但現在有消息透露,首批進入市場的 Intel 10 奈米製程技術產品,不會是大家期待的 CPU,而是目前市場價格高漲的 NAND Flash 快閃記憶體。

根據業界人士透露,Intel 計劃在自家最新 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體使用最新 10 奈米製程技術。至於,為何在 3D NAND Flash 先用新製程,很可能是因為 NAND Flash 的結構相對簡單,基本上就是大量同類電晶體堆積,相較之下,CPU 處理器的架構就複雜多了。使用新製程技術生產,複雜性也是關係成功與否的重要風險之一,這也是 Intel 在 14 奈米製程、10 奈米製程屢屢延後推出的一項主要因素。

照 Intel 的說法,10 奈米製程技術使用 FinFET(鰭式場效應電晶體)、Hyper Scaling(超縮微)技術,可將電晶體密度提升 2.7 倍,結果自然可以大大縮小晶片面積,對 NAND Flash 快閃記憶體的設計來說,當然能大大提升容量。

不過,目前還不清楚 Intel 的 10 奈米製程 NAND Flash 具體生產情況為何,但可以確認,未來該批產品會首先用於資料中心市場,等成本下降後,再推廣到消費等級市場。

(首圖來源:Flickr/stargazer2020 CC BY 2.0)