美光進行下世代 1Y 奈米 DRAM 驗證,技術上不須推進 EUV 應用

作者 | 發布日期 2018 年 06 月 06 日 14:10 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
美光進行下世代 1Y 奈米 DRAM 驗證,技術上不須推進 EUV 應用


2018 年在邏輯 IC 的生產方面,包括台積電、三星及格羅方德等都會量產 7 奈米製程。首代的 7 奈米製成將使用傳統的 DUV 光刻技術,第二代 7 奈米製程才會上 EUV 光刻技術,且在 2019 年正式量產。至於,在記憶體產業部分,美光日前也表示,EUV 光刻技術並不是 DRAM 製程中所必須的,而且未來幾年內都都還不一定用得上。目前,美光在新一代製程技術上,正在由客戶驗證 1Y 奈米製程的記憶體,而且未來還有 1Z、1α 及 1β 製程。

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