英特爾中國大連第 2 期 NAND Flash 工廠投產,將生產 96 層堆疊產品

作者 | 發布日期 2018 年 09 月 25 日 15:00 | 分類 國際貿易 , 處理器 , 記憶體 follow us in feedly

處理器大廠英特爾(Intel)在 2015 年宣布,其總投資 55 億美元的中國大連的 Fab 68 晶圓廠第 2 期工程改造為 NAND Flash 快閃記憶體工廠之後,現在宣布已經正式投產。未來,主要將生產 96 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體,積極追趕競爭對手的市占率。




根據統計,在全球 NAND Flash 快閃記憶體市場上,南韓三星的市占率高達到 37%,東芝、威騰電子則分別有 20%、15% 左右的市占率。再來才是美光、SK Hynix,英特爾是全球 6 大廠商中市占率最少的,不足 10%,這也導致英特爾過去在 NAND Flash 快閃記憶體,以及 SSD 硬碟市場上主打企業級市場,消費等級 SSD 市場就放置在重點之外,造成影響力遠不如三星、東芝、美光等競爭對手。而會有這樣情況的原因,就在於英特爾沒有自己獨立的 NAND Flash 快閃記憶體產能。

而為了填補此空缺,2015 年英特爾宣布,將在中國大連 的Fab 68 工廠建設第 2 期工程,用於生產非易失性記憶體,也就是 NAND Flash 快閃記憶體,總投資高達 55 億美元。如今,經過 3 年的建設,Fab 68 工廠的第 2 期工廠正式投產,主要將生產 96 層 3D NAND 快閃記憶體,這也意味著英特爾未來的3 D NAND 快閃記憶體產能將會大增。

據了解,英特爾 2006 年與中國大連市政府達成合作協定,2007 年起在大連投資 25 億美元,建設 12 英吋晶圓廠,主要負責處理器封裝測試,2010 年大連晶圓廠正式落成。至於,現在宣布量產的中國大連 Fab 68 第 2 期工廠,未來將成為英特爾最重要的 NAND 快閃記憶體生產基地。預計,英特爾的 70% 3D NAND 快閃記憶體將產自這裡。至於,與美光共同合作的 3D XPoint 快閃記憶體,則在英特爾與美光宣布兩家公司分道揚鑣之後,英特爾正在把研發基地移師到新墨西哥州的工廠,預計會增加當地 100 多個工作崗位。

目前,英特爾與美光的 3D XPoint 快閃記憶體主要是在美國猶他州的工廠生產。雙方在正式分道揚鑣之前,將會繼續努力合作完成第 2 代 3D XPoint 技術開發,最終將會在 2019 年上半年完成並開始推出市場。但之後兩家就會各奔前程,各自開發基於 3D XPoint 技術的第 3 代產品。

(首圖來源:Flickr/Jiahui Huang CC BY 2.0)