英特爾中國大連第 2 期 NAND Flash 工廠投產，將生產 96 層堆疊產品
作者 | 發布日期 2018 年 09 月 25 日 15:00 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 處理器 line share follow us in feedly line share
英特爾中國大連第 2 期 NAND Flash 工廠投產，將生產 96 層堆疊產品


處理器大廠英特爾（Intel）在 2015 年宣布，其總投資 55 億美元的中國大連的 Fab 68 晶圓廠第 2 期工程改造為 NAND Flash 快閃記憶體工廠之後，現在宣布已經正式投產。未來，主要將生產 96 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體，積極追趕競爭對手的市占率。

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