不畏半導體逆風來襲,SK 海力士動工興建第 7 座半導體工廠

作者 | 發布日期 2018 年 12 月 20 日 17:20 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly

隨著 NAND Flash 快閃記憶體及 DRAM 價格不斷下跌,2019 年記憶體市場將迎接逆風。而為了應付降價導致的損失,包括記憶體大廠三星、SK 海力士(SK Hynix)及美光都計劃減少資本支出。不過,降低成本支出並不意味著他們不再建設工廠了,就在本週,SK Hynix 正式開工建設第 7 座半導體工廠──M16 廠,總投資不低於 15 兆韓圜(約 133 億美元)。雖然還沒確定最終生產 NAND Flash 還是 DRAM,但是這座晶圓廠確定將會採用最先進的 EUV 光刻技術。




2018 年 10 月份,SK Hynix 才剛完成最新的 M15 工廠興建,並且在日前正式進入量產,且該工廠是 2015 年 SK Hynix 宣布將斥資的 46 兆韓圜投資計畫中的一部分。M15 工廠位於南韓忠清南道的清州市,投資額高達 15 兆韓圜,以生產 3D NAND Flash 為主,初期以生產現在的 72 層堆疊 3D NAND Flash,2019 年開始,就會轉到 96 層堆疊的 3D NAND Flash 上。

至於新動工的 M16 廠,在本週正式舉行開工典禮之後,預計 2020 年正式完成,總投資額還沒確定。不過,也確定不會低於 15 兆韓圜。其中,基礎設施建設就要 3.5 兆韓圜,占地達 30 英畝。這座工廠最終會以生產 DRAM 還是 NAND Flash 為主,目前尚未確定。對此,SK Hynix 表示,要看落成時的市場需求以及工廠的技術水準來決定。

雖然,還不確定要生產什麼樣的產品,不過有一點可以肯定,那就是 M16 工廠將會用上最先進的 EUV 光刻技術。事實上,記憶體跟邏輯晶片不同,雖然對 EUV 光刻技術的需求沒那麼高,不過三星、SK Hynix 仍會依計畫,在未來使用 EUV 技術生產記憶體。而相對於南韓兩大記憶體廠的做法,美系廠商美光對 EUV 使用的態度就顯得比較保守。之前曾經宣布,在未來 2 代的記憶體生產中都將不會用到 EUV 光刻技術。

而除了南韓之外,SK Hynix 在中國無錫也有生產 DRAM 的晶圓廠。無錫廠目前的一期工程產能在每月 10 萬到 12 萬片之間,是全球重要的 DRAM 晶片基地之一。而 SK Hynixy 在 2018 年初期,還宣布將投資 86 億美元在無錫建設第 2 座記憶體工廠,預計完成後記憶體產能將達到每月 20 萬片。

另外,日前有南韓媒體報導,目前南韓政府正在推動大型半導體製造群體,預計在 10 年內投資超過 120 兆韓圜,並納入 4 家大型半導體工廠及 50 家上下游材料及設備供應商。其中,SK Hynix 就允諾,將依據計畫在南韓境內再興建一座大型半導體工廠。因此,在當前半導體景氣面臨逆風的狀態下,韓系記憶體廠的擴張計畫將不會有所改變。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)