根據南韓媒體《Etnews》的報導，南韓三星電子計劃新建一座大型半導體工廠。因為有鑒於面積比上一個半導體增加了 50% 以上。因此，該座工廠將採用「綜合半導體工廠」的形式來營運，也就是在其中同時生產 DRAM、NAND Flash 和其他產品，並有望引入最新的製程技術。而該座被稱之為「P3」工廠的興建計畫，預計於 2020 年 9 月在南韓平澤市動工，2021 年完成啟用。
報導指出，根據資料顯示，目前南韓三星電子在平澤市已有命名為「P1」和「P2」的半導體工廠。其中「P2」還是於 2019 年才完工的新產線。未來如果「P3」工廠順利加入生產行列，則三星在平澤市就有 3 座大型的半導體工廠。
報導進一步指出，根據南韓半導體產業人士透漏，三星電子預計在平澤市興建的「P3」工廠，目前已經進入了興建的預備階段，預計正式開工的時間將會落在 2020 年 9 月。而因為目前三星最大的「P2」半導體工廠，廠區長度約 400 公尺，而準備興建的新「P3」工廠，其廠區長度更將達到 700 公尺。在廠區面積幾乎大出一倍的情況下，「P3」工廠將以綜合性型工廠的方式運作，也就是包括生產圖像感測器、DRAM、NAND Flash 和 SoC 處理器等半導體產品，並有機會導入最新的製程技術。
根據先前的媒體報導，三星近期正努力的提升產能與技術，期望在目前領先的記憶體市場拉大與競爭者的差距之外，在記憶體的半導體產品上飛，也希望達到帶頭的水準。尤其是在晶圓代工的市場上，期望在 2030 年前能超越當前的龍頭台積電。
(首圖來源:三星)
