三星新 DRAM 考慮 MUF 技術，可能躍升主流
作者 | 發布日期 2024 年 03 月 04 日 12:00 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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三星新 DRAM 考慮 MUF 技術，可能躍升主流

韓國媒體 TheElec 報導，三星正在考慮下代 DRAM 應用模壓填充（MUF）。三星最近測試 3D 堆疊 (3DS) 記憶體 MR MUF，與 TC NCF 相較傳輸量提升，但物理特性卻惡化。

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