近期，中國半導體產業屋漏偏逢連夜雨，在發生華為白手套事件，遭美國緊縮出口管制，限制即日起全面停止針對中國 AI 及 HPC 廠商供應 7 奈米及其以下先進製程技術之後，現在輪到中國力拚在全球市場上具備發話權的記憶體產業也出包。日前，中國記憶體廠商長鑫存儲的合肥晶圓廠也傳出因人為疏失，導致數萬片晶圓報廢的事件。為對此事件負責，相關的人員都遭到處分。
根據長鑫存儲的內部文件表示，日前因人為因素所造成的數萬晶圓報廢事件，導致產線遭受嚴重良率損失和重大品質風險，關鍵產品不能按時達交，極大地影響了公司對外部客戶的交付和市場聲譽情況。因此，在公司的查處下，包括多位公司高層，其中如營運中心負責人、合肥晶圓廠廠長、北京晶圓廠廠長、合肥副廠長等高層都受到懲處。而當中又以營運中心負責人遭到停職的處分最為嚴重。
而在這次的處分中，也傳出與台灣有關係的部分。那就是受處分的合肥晶圓廠高層當中，有曾經擔任台積電上海松江廠廠長的人士。而且，該高層當年甚至從台積電的上海松江場合南京廠帶著為數不少的一群同事，進一步帶槍投靠長鑫存儲。如今，落得遭到處分的結果，也令人不勝唏噓。
根據先前 ZDnet Korea 的報導，長鑫存儲 DRAM 總產能從 2022 年的每月 7 萬片，快速成長到 2023 年 12 萬片，2024年更達 20 萬片的規模，是中國重要的記憶體廠商。目前主要產品有 17 和 18 奈米 DDR4 和 LPDDR4，最新 DRAM 產品是 12 奈米 DDR5、LPDDR5X，長鑫存儲也在布局。在產能部分，目前以合肥廠及北京廠為主，上海方面則是建立研發中心，藉此研發前後段整合的統包架構。
另外，日經亞洲評論先前報導，在當前 AI 市場發展的情況下，長鑫存儲也計劃生產 HBM 高頻寬記憶體，而且正在採購必要的設備。現階段，長鑫存儲已經獲得用於 HBM 高頻寬記憶體組裝和測試的設備。長鑫存儲已經在合肥附近運營著一座 DRAM 晶圓廠，當前正在籌集資金建造第二座晶圓廠，將導入更先進的製程技術，用於製造和封裝 HBM 高頻寬記憶體。
事實上，隨著記憶體市場需求提升，中國記憶體廠商也在積極針對技術提升備戰當中。先前市場消息就傳出，過去曾在中芯國際任職、擔任聯席執行長梁孟松得力助手的周梅生，轉投效長鑫存儲任技術研究和開發中心負責人，引發關注。
由於周梅生曾任職科林研發設備技術公司中國區技術長，更早任職新加坡特許半導體、聯電、格羅方德等半導體企業。而2017 年起，又擔任中芯國際研發執行副總裁，直接匯報聯席執行長梁孟松，是梁孟松帶領中芯國際推動先進製程的重要助理。因此，2022 年周梅生退休，辭去中芯國際所有職務，之後加入長鑫存儲，其在周梅生的協助下，長鑫存儲近來在技術與市場似乎變得更加激進。
不過，隨著長鑫存儲的發展愈加快速，美國針對的出口管制也更加激烈。先前彭博社就引述知情人士指稱，美國政府正考慮要將包含長鑫存儲在內的多家中國科技企業祭出制裁。因此，根據媒體報 SEMICONVoice 引用也市場消息表示，隨著美國出口管制日見趨嚴，中國半導體產業也持續加速設備和材料進入快速國產化階段。
另外，加上長鑫存儲希望趕上國際記憶體大廠的心態驅使，積極發展技術的情況下，使得生產在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況，並不出人意料之外。使得原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤，可能與導入國產化的材料或設備有關。但是，相關市場人士指出，這事件應該仍是人為失誤，因此出現有高層被撤換。
(首圖來源：長鑫存儲)
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