台積電落後一年？英特爾稱 18A 製程已準備好

英特爾近日宣布，Intel 18A 製程（1.8 奈米）已經準備就緒，並計劃上半年開始設計定案。將導入多項先進半導體技術，有望領先台積電 2 奈米 N2 製程，後者預定 2026 年上市。

市場有人聲稱，Intel 18A 製程是世界首個小於 2 奈米製程，使台積電製程落後英特爾一年。

$INTC 18A is now ready 🔥🔥

Effectively pulled in by 6 months

Customer tape outs were initially planned for 2H25. But have now been pulled in to 1H25. This shows incredible health

Note – this is the world’s first <2nm process. $TSM is a year behind.

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— Mojo (@Mojo_flyin) February 21, 2025

Intel 18A 相較 Intel 3，晶片密度提升 30%，並提高每瓦性能約 15%。英特爾計畫 Intel 18A 用於即將推出的 Panther Lake 筆電處理器與 Clearwater Forest 伺服器 CPU，兩款產品年底上市。

Intel 18A 大突破是 PowerVia 背面供電，將粗間距金屬層與凸塊移至晶片背面，並採用奈米級矽穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供電效率。英特爾表示，新技術可提升 ISO 功耗效能 4%，並增加標準單元利用率 5% 至 10%。

另一項關鍵技術是 RibbonFET，是英特爾全柵極電晶體（GAA）設計。與傳統鰭式場效電晶體（FinFET）相比，RibbonFET 可更精細控制電流流動，有效降低功耗與漏電，對高密度、小晶片尤其重要。

台積電也計畫 2 奈米 N2 製程採 GAA 設計，但量產 2025 年底才開始，首批 N2 消費級產品最早 2026 年中推出。台積電計畫 A16 製程（2026 年推出）導入背面供電，與 Intel 18A 路線相似但時程較晚。

近期有報告比較 Intel 18A 與台積電 N2，顯示 Intel 18A 可能性能占優勢，台積電 N2 更高晶片密度。

過去幾年，英特爾製程落後台積電和三星，但 Intel 18A 有望讓英特爾在特定領域超越競爭對手，並搶先進入市場。如果 Intel 18A 成功量產，不僅提升英特爾晶圓代工競爭力，還可能改變半導體市場的競爭格局。

但一說到英特爾，外界多想到近年重大財務壓力，英特爾 2024 年財報顯示虧損 130 億美元，台積電則高達 410 億美元營業利潤。由於英特爾連年虧損，市場對英特爾可能拆分或出售部分代工業務的猜測不斷增加。

此外，美國政府加強本土晶片供應鏈的關注度，也有觀點認為台積電可能對穩定英特爾晶圓代工發揮一定作用。美國政府推動半導體本土化，Intel 18A 成敗，將成為美國半導體產業競爭力的重要指標。

（首圖來源：英特爾）