美光 2,000 億美元投資美國，含建設晶圓廠與導入 HBM

外媒 Tom′s hardware 報導，美國記憶體大廠美光（Micron）近日詳細介紹不久前宣布的美國投資 2,000 億美元計畫。美光將在美國的投資金額擴大到約 1,500 億美元，研發也擴大到 500 億美元，創造約 90,000 個直接和間接職缺。

美光製造投資 1,500 億美元，包括愛達荷州興建第二家領先的記憶體工廠，擴建佛吉尼亞州工廠並現代化。紐約州四座晶圓廠工程也將依時程展開，以及將先進 HBM 帶入美國，以達成對 AI 市場至關重要的高頻寬記憶體（HBM）長期增長。

投資 500 億美元提升美光美國記憶體晶片研發，以再次鞏固全球記憶體領導者的長期地位，主要目的在使美光滿足市場需求，保持美光市占率，並支援美光美國生產 40% 的 DRAM 目標。

美光最新資訊，投資計畫第一部分以在愛達荷州附近建造世界最大最先進 DRAM 生產設施，現在稱為 Fab ID1 為主。一旦完全配備生產設備，ID1 的無塵室面積將達到 600,000 平方英尺，這大約是格羅方德 (GlobalFoundries) Fab 8 潔淨室產能的兩倍，與競爭對手三星和 SK 海力士在韓國營運的大型晶圓廠相當。

現階段 Fab ID1 將於 2025 年 6 月達到一個關鍵的建設里程碑，也就是將於 2027 下半年開始生產晶圓，此後陸續進行客戶認證。愛達荷州第二座晶圓廠 Fab ID2 將建在 ID1 附近，受惠於共用基礎設施和研發共址，預計 Fab ID2 將在紐約州工廠之前投入生產。不過，該公司沒有詳細說明確切的時間。

最後，針對位於紐約州多達四座晶圓廠的興建計畫，美光計劃在完成聯邦和州環境審查後，到 2025 年底開始其紐約工廠的地基工作。美光的紐約州計畫比愛達荷州的計畫更具規模，因為牽涉四座晶圓廠的興建，無塵室面積將達到約為 600,000 平方英尺。雖然尚未有該工廠的具體生產時間表，但很明顯，該工廠是美光長期戰略努力的一部分，目的在建立強大的美國國內製造足跡，以支持商業和國家運算的需求。

除了建造全新的晶圓廠，美光還將擴建維吉尼亞州工廠。目前，該工廠生產用於汽車、航空航太、國防和工業應用的記憶體。升級更新後，該晶圓廠將獲得在美國組裝 HBM 記憶體堆疊的產能和先進封裝能力。不過，美光預計在愛達荷州晶圓廠在美國提高 DRAM 晶圓的產量後，才會為其維吉尼亞工廠增加 HBM 能力。也就是說，預計美光將在美國製造 HBM5 或 HBM6。

美光執行長兼董事長 Sanjay Mehrotra 表示，做為這項 2,000 億美元投資計畫的一部分，美光計劃在我們在美國業務中建立足夠的 DRAM 晶圓規模後，再將先進封裝能力到美國，以支持我們的長期 HBM 成長計畫。

(首圖來源：美光)