根據外媒報導，日本新創晶片製造商 Rapidus 已啟動 2 奈米晶圓的測試生產，並將其 IIM-1 廠區的量產目標訂於 2027 年。
根據 Tomshardware 的報導，在 Rapidus 日本的 IIM-1 廠區已經展開對採用 2 奈米閘極全環 （GAA） 電晶體技術的測試晶圓進行原型製作。公司確認，早期測試晶圓已達到預期的電氣特性，這表示其晶圓廠工具運作正常，製程技術開發進展順利。
報導表示，原型製作是半導體生產中的一個重要里程碑，目的在驗證使用新技術製造的早期測試電路是否可靠、高效並達到性能目標。Rapidus 目前正在測量其測試電路的電氣特性，包括臨界電壓、驅動電流、漏電流、次臨界斜率、開關速度、功耗和電容等參數。儘管 Rapidus 未公開具體結果，但測試晶圓已在晶圓廠內流動本身就意義重大。
另外，Rapidus 的 IIM-1 廠區自 2023 年 9 月動工以來件展正常，無塵室於 2024 年完成，截至 2025 年 6 月已連接超過 200 套設備，包括先進的 DUV 和 EUV 微影工具。Rapidus 於 2024 年 12 月安裝了先進的 EUV 工具，並於 2025 年 4 月成功進行了首次曝光。目前，該廠區已足夠成熟運行測試晶圓，讓 Rapidus 測量其 GAA 架構電路的電氣特性，以識別潛在的製程問題，並調整工具或製造步驟的設定。
報導強調，Rapidus 在其公告中特別提到，其 IIM-1 廠區將對所有前段製程步驟採用 「單晶圓處理」 方法。這是一種半導體製造方法，其中每片晶圓都是單獨處理、加工和檢查，而非以組合方式進行。目前，英特爾、三星和台積電等大型晶片製造商在其半導體製造過程中，採用組合和單晶圓處理方法的組合。單晶圓處理通常用於需要高精度的關鍵步驟，如 EUV 和 DUV 圖形化、電漿蝕刻、原子層沉積或缺陷監控。而對於氧化、離子植入、清洗和退火等其他步驟，它們則以組合方式處理晶圓。
Rapidus 計劃將單晶圓方法應用於所有製程步驟，包括氧化、離子植入、圖形化、沉積、蝕刻、清洗和退火等。Rapidus 表示，這種方法能精確控制每次操作，因為可以根據單片晶圓的條件或結果進行具體調整。由於每片晶圓都是獨立處理的，工程師可以即時微調參數，提早檢測異常，並迅速應用校正，無需等待整個組合測試的完成。
此外，這種方法產生每片晶圓的高解析度數據量更大，可用於監控和優化製造條件的 AI 演算法。這些演算法可能能夠更快的收集資訊，用於持續製程改進 （CPI） 以降低缺陷密度和提高良率，以及用於統計製程控制 （SPC） 以減少性能變異。單晶圓製程系統也更容易改變設定並在小批量和大量生產之間切換，這對 Rapidus 來說很重要，因為其目標是服務較小的製造商。
然而，這種方法也存在一些必須條件。由於晶圓一次一片的處理，每個工具的產量（某些工具）會比大量處理低，可能延長生產週期時間，並增加生產成本。這使得所需的設備更複雜且昂貴，而且單獨協調所有步驟中晶圓的移動會增加額外開銷。儘管如此，Rapidus 相信，儘管前期成本較高且處理速度較慢，但在缺陷減少、良率提升和適應製程控制方面的長期效益，可以使單晶圓處理成為 2 奈米及更先進晶片生產的有力策略。
為了支持早期客戶，Rapidus 正在準備於 2026 年第一季發表其製程開發套件 （PDK） 的第一個版本，同時也致力於為客戶在 IIM-1 廠區進行晶片設計原型製作提供所需基礎設施。
(首圖來源：官網)
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