根據路透社引用三位知情人士的說法報導指出，中國 NAND Flash 製造商長江存儲（YMTC）正計劃將業務擴展至製造動 DRAM 晶片，其中涵蓋了用於製造 AI 專用記憶體 HBM 的產品。長江存儲的計畫凸顯了在美國擴大出口管制後，中國迫切希望提升其先進晶片製造能力的意圖。
報導指出，2024 年 12 月，美國擴大了出口管制措施，目的限制中國取得 HBM。市場人士與分析師指出，此限制措施使 HBM 晶片的供應問題成為中國龐大 AI 晶片產業中一個日益緊迫的事項。因為，包括華為（Huawei）和字節跳動（ByteDance）在內的中國科技大廠，正在積極開發自己的 AI 晶片，這使得 HBM 的國產化需求更為迫切。
而為了應對這一需求，長江存儲正在開發使用矽穿孔（through-silicon via，TSV） 技術的先進晶片封裝技術。兩位知情人士透露，TSV 技術是用來堆疊 DRAM，然後生產 HBM 的核心技術。目前在全球市場中，HBM 晶片主要由美國的美光（Micron）、韓國的 SK 海力士（SK Hynix）和三星電子（Samsung Electronics） 來進行供應。這些 HBM 被用於輝達（Nvidia）和超微（AMD）等公司的 AI 晶片當中。在中國國內市場上，長江存儲的主要競爭對手長鑫存儲（CXMT）已在開發 HBM 晶片。
報導指出，長江存儲正考慮將其在武漢建設的一座新晶圓廠的部分產能，分配給未來的 DRAM 生產。根據企業註冊資訊服務商資料顯示，長江存儲已於本月稍早成立了一家新公司，以推動其在武漢的第三座晶圓廠的建設。該新公司的註冊資本基礎達到了驚人的 207 億人民幣（約合 29 億美元）。然而，當前尚未能確認該新晶圓廠計畫的月產能，也無法確定有多少產能將被分配給 DRAM 的生產，長江存儲方面也未進一步提出說明。
事實上，長江存儲由同名的國資背景控股企業所擁有。該公司在中國推動 NAND Flash 自給自足的努力中扮演著至關重要的角色。過去，中國在這一領域主要依賴從韓國、日本和美國進口，有了長江存儲之後，中國開始能夠部分自行供貨。然而，長江存儲已於 2022 年被美國列入限制出口的實體清單當中。
目前，長江存儲在武漢現有的兩座晶圓廠，其都一直專注於 NAND Flash 的生產。根據外資大摩 (摩根士丹利) 的研究報告顯示，截至 2024 年底，這些工廠每月能夠生產 16 萬片 12 吋晶圓，預計 2025 年產能將再進一步增加 6.5 萬片晶圓的生產。
(首圖來源：長江存儲)
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
